Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4-=SUP=-o-=/SUP=- и интерфейса Cs/SiC(100) 4-=SUP=-o-=/SUP=-

Abstract

Впервые проведены фотоэмиссионные исследования электронной структуры вицинальной поверхности SiC(100) 4o, выращенной новым методом замещения атомов подложки, и интерфейса Cs/SiC(100) 4o. Исследована модификация спектров валентной зоны и остовных уровней C 1s, Si 2p в процессе формирования интерфейса Cs/SiC(100) 4o. Обнаружено подавление поверхностного состояния SiC с энергией связи 2.8 eV и образование индуцированного цезием состояния с энергией связи 10.5 eV. Впервые обнаружена и исследована модификация сложной структуры компонентов в спектре остовного уровня C 1s. Найдено, что адсорбция Cs на вицинальной поверхности SiC(100) 4o приводит к интеркаляции островков графена на SiC(100) 4o атомами Cs.

Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8-=SUP=-o-=/SUP=-

“…Обнаружена заметная модификация спектров остовных уровней Si 2p и C 1s. Более существенные изменения наблюдались при формировании интерфейса путем адсорбции цезия на вицинальную поверхность SiC/Si(111)-4 • [10]. Было установлено, что при адсорбции атомов Cs на сингулярные поверхности нанослоев SiC электронная плотность испытывает химический сдвиг от кремния к углероду.…”

Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов

“…Это означает, во-первых, что образец имеет несколько меньшую плот-ность чем стехиометрический, находящийся в идеаль-ных условиях SiC, во-вторых, что в данном образце в качестве второй фазы может присутствовать угле-род. Отметим, что фаза монокристаллического углерода HOPG была впервые обнаружена в работе [13], а недавно наличие углерода в особом кристаллическом состоянии было подтверждено в работе [27], в которой методом синхротронного излучения в диапазоне энергий фотонов 120−450 eV была исследована электронная структура наноинтерфейса SiC/Si. Таким образом, в случае синтеза пленки SiC методом замещения атомов, содержащей в избытке вакансии Si, следует вместо формулы SiС x , в которой переменной величиной является содержание углерода, записать формулу в виде Si y С, где y = N Si /N C , в которой переменной величиной является содержание кремния.…”

“…От-сюда y = 0.86, т. е. на 100 атомов углерода приходится 86 атомов кремния и Si y С = Si 0.86 С. Перепишем хими-ческую формулу Si 0.86 С через процентные соотношения между атомами Si и C, т. е. обозначим состав нашей пленки следующим образом Si z C 1−z . Коэффициенты y и z взаимосвязаны выражением Si и результаты, полученные в [2,13,27], то результат мог бы быть противоположным, поскольку, исходя из формулы SiС за граничную точку отсчета ρ 1 , с полным правом, мы могли выбрать плотность чистого кремния ρ 1 = 2.33 g/cm 3 . Это было бы верно в случае сплошных слоев SiC x , синтезированных методом ионной имплан-тации, как было показано в [11].…”