Электрон-Электронное И Электрон-Фононное Взаимодействия В Графене На Полупроводниковой Подложке: Простые Оценки

Abstract

The problem of epitaxial graphene formed on a semiconductor substrate is considered in the context of the extended Hubbard and Holstein–Hubbard models for electron–electron and electron–phonon interactions. The Haldane–Anderson model is chosen for the density of states of the substrate. Three regions of the phase diagram, specifically, spin- and charge-density waves and a spin- and charge-homogeneous paramagnetic state are considered. For a number of special cases used as examples, the similarities and differences of the electron states of graphene on semiconductor and metal substrates are demonstrated. It is shown that the main difference arises, if the Dirac point of graphene lies within the band gap of the semiconductor. Numerical estimations are performed for a SiC substrate.

Составление Аналитического Выражения Физического Процесса По Экспериментальной Кривой С Изломами

“…Такая ситуация характерна, например, при описании ВАХ двухслойных структур типа " металл−диэлектрик− полупроводник" на постоянном токе (рис. 2), в которых диэлектрик обладает утечкой [8].…”

“…Это можно сделать, если известны механизмы формиро-вания электрического поля в каждом из рассматривае-мых элементов [8,15].…”

“…Аппроксимационную же зависимость всей кривой получают сшиванием этих функций функциями участия с использованием призна-ков параллельности или последовательности объединяе-мых процессов по выражениям (2) или (5). Получаемое таким способом аппроксиманционое выражение всей кривой приобретает структуру, аналогичную структуре экспериментальной кривой, физически прозрачную и удобную для дальнейших математических преобразова-ний [8,9,15].…”

“…Полученная таким способом аппроксимирующая функция (7) далее может быть использована для полу-чения аналитических выражений, описывающих другие характеристики исследуемого объекта и его параметры: зависимости сигнала фотопроводимости от смещения, вычисления автокорреляционной функции и теплового шума исследуемого полупроводника [8].…”

“…Необ-ходимость получения аналитических выражений таких зависимостей диктуется, с одной стороны, стремлением корректно описать физическую картину исследуемого свойства, а с другой -возможностью с помощью имеющихся экспериментальных данных аналитически предсказать другие свойства полупроводникового при-бора. В частности, по известной ВАХ можно описать фотоэлектрические, а после вычисления автокорреля-ционной функции процесса токопереноса и флуктуа-ционные свойства прибора [8,9]. Другая ситуация, в которой требуется детальный анализ экспериментальной зависимости с изломами, -это выявление физических механизмов, проявляющихся в изменении хода кривой в области ее излома.…”