This paper presents the results from an experimental study of the ion flux characteristics behind the remote plasma zone in a vertical tube reaction chamber for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition. Capacitively coupled radio frequency plasma was generated in pure He and gas mixtures: He–Ar, He–O2, He–TEOS. We previously used the reaction system He–TEOS for the synthesis of self-assembled structures of silicon dioxide nanoparticles. It is likely that the electrical parameters of the area, where nanoparticles have been transported from the synthesis zone to the substrate, play a significant role in the self-organization processes both in the vapor phase and on the substrate surface. The results from the spatial distribution of the electrical potential and ion concentration in the discharge downstream area measured by means of the external probe of original design and the special data processing method are demonstrated in this work. Positive and negatives ions with maximum concentrations of 106–107 cm−3 have been found at 10–80 mm distance behind the plasma zone. On the basis of the revealed distributions for different gas mixtures, the physical model of the observed phenomena is proposed. The model illustrates the capability of the virtual ion emitter formation behind the discharge gap and the presence of an extremum of the electrical potential at the distance of approximately 10−2–10−1 mm from the grounded electrode.

Chemical vapor deposition (CVD) provides fabrication of high purity conformal layers of titanium dioxide with different structure for various applications. In this work CVD of titania layers from titanium tetraisopropoxide (TTIP) and oxygen at 1 kPa and in the substrate temperature range Ts = 300–500 °C was studied. It was found that growth of TiO2 is a non‐stationary process. Two periods of time characterized by different deposition rates were observed. Formation of amorphous TiO2 occurs at the initial period of the deposition process whereas polycrystalline titania with anatase crystal structure is deposited at the second period. Substrate temperature determines degree of crystallinity, texture, and microstructure of the deposited titania layers.

No abstract

Глубокое травление кремния с применением Bosch-процесса или криогенных микротехнологий успешно исследуется и совершенствуется в течение уже нескольких десятилетий. Гораздо хуже изучено высокоскоростное направленное травление твердых материалов, применяющихся, например, в производстве МЭМС. В настоящей статье рассматриваются области применения твердых материалов в полупроводниковой промышленности, а также оборудование и процессы для их плазменного травления. Deep etching of silicon, achieved via Bosch or cryogenic microfabrication technologies, has been well studied and developed over the last decades. Opposite from silicon, high rate directional etching of hard materials for applications such as MEMS is much less investigated. This paper highlights possible applications of hard materials in semiconductor industry, and appropriate equipment and etch processes for hard material treatment by plasma. С труктуры с большой глубиной рельефа, вер-тикальными боковыми стенками, хорошей однородностью и высоким аспектным отно-шением требуются для многих приложений, вклю-чая производство MEMS, новые технологии сборки, а также изготовление интегральной оптики. Глубокое реактивное ионное травление DRIE (Deep Reactive Ion Etching) оптимально подходит для получения таких структур и в настоящее время широко используется в кремниевых технологиях. Глубокий рельеф фор-мируется путем бомбардировки подложки ионами. Профиль травления можно изменять, управляя соста-вом газовой среды, давлением и другими параме-трами процесса.В настоящее время в производстве МЭМС, 3D-сборке и других областях резко повысился интерес к при-менению таких активных и пассивных твердых материа лов, как стекло, кварц, карбид кремния, кварцевое стекло, ниобат лития и танталат лития. Структуры с глубоким рельефом на этих материа-лах, как правило, создаются методами механической обработки, а применение DRIE пока слабо изучено. Действительно, DRIE сложно использовать для таких материалов, поскольку особенности их химического состава обычно накладывают ограничения на аспект-ное отношение, гладкость поверхности, селектив-ность и глубину травления. Поэтому, чтобы сделать возможным и экономически целесообразным глубо-кое травление твердых материалов с формированием высококачественных структур, необходима разра-ботка новых методов и технологий. возможноСти применения drie для твердых материаловРазработка инновационных решений для глубокого травления твердых материалов велась компанией CORIAL в кооперации с промышленными предприя-тиями и научно-исследовательскими центрами. Основной целью этого сотрудничества было созда-ние промышленных систем травления, технологий, литографических масок и микроструктур, необходи-мых для производства нового поколения устройств для телекоммуникаций (SAW), МЭМС и часовой промышленности.За последние месяцы подразделение исследо-ваний и разработок компании CORIAL выполнило несколько НИОКР в области оборудования и процес-сов для обработки твердых материалов по технологии DRIE. В результате этой работы создано и уже доступно для коммерческого и...

No abstract