The velocities of screw and 60° dislocations in silicon are measured for temperatures ranging from 520 to 800 °C and stresses ranging from 4 to 30 MNm−2 and for various concentrations of phosphorous or boron atoms. n‐doping results in an increase of the velocities of screw and 60° dislocations. In moderately p‐doped Si, no clear effect is observed for screw dislocations while the velocities of 60° dislocations are slightly lower than in intrinsic Si. The effect of doping on the dislocation velocity is discussed mainly in terms of Haasen's calculation of the influence of the electrical charge carried by the dislocation on the formation of a double kink. In the case of 60° dislocations, the model fairly describes the measurements in heavily doped Si (≈ 1019 atoms cm−3) but underestimates the effect observed at moderate levels of doping.

Overview articleRésumé. 2014 Les structures de c0153ur des dislocations dans les semi-conducteurs élémentaires (ESC) et les composés semi-conducteurs (CSC) III-V sont discutées en relation avec les analogies qu'elles présentent avec celles des métaux cfc. On met l'accent sur les propriétés spécifiques des dislocations dans les SC aux températures plus basses que 0,6 Tf où le glissement des dislocations est régi par un mécanisme de Peierls qui témoigne de la liaison covalente entre atomes. On fait une revue de la dynamique des dislocations en rapport avec des effets métallurgiques classiques ou des effets spécifiques aux SC associés aux niveaux électroniques introduits par les dislocations dans la bande interdite. Les analogies et les différences entre les structures et les propriétés des dislocations dans les ESC et CSC sont aussi discutées.Abstract. 2014 Dislocation core structures in elemental semiconductors (ESC) and III-V compound semiconductors (CSC) with zinc blende structure are discussed in relation to their analogy with fcc metals. Emphasis is also

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