No abstract

Se han fabricado estructuras MIS sobre Si (100) mediante un proceso en dos pasos: una primera exposición del sustrato de Si a un plasma ECR de oxígeno, que da lugar a la obtención de una capa de SiO x (en adelante PO-SiO x ), seguido de un depósito de nitruro de silicio (SiN 1.55 : H) mediante plasma ECR. La estructura MIS resultante es de la forma Al/SiN 1.55 :H/PO-SiO x /Si. Los dispositivos han sido caracterizados mediante la medida simultánea de las capacidades a alta y baja frecuencia, lo que permite conocer la calidad de la intercara PO-SiO x /Si, calcular los espesores de la capa de PO-SiO x y la velocidad de crecimiento del SiN x :H. Para caracterizar el proceso de oxidación se realizaron varias series de muestras variando en cada una un parámetro del proceso. Estos parámetros fueron: el tiempo de depósito del SiN x :H, el tiempo de oxidación, la temperatura del sustrato y el flujo total de O 2 . Asimismo, se ha estudiado la estructura de enlaces del dieléctrico apilado mediante espectroscopia infrarroja. El espectro del dieléctrico apilado mostró la superposición de dos picos: uno de menor intensidad asociado al PO-SiO x con el máximo en 1056 cm -1 , y otro debido al SiN 1.55 :H con máximo en 860 cm -1 . Estas medidas mostraron que la ley que rige el crecimiento del PO-SiO x es d SiO = 2.7 t ox 0.26 nm donde d SiO es el espesor de la capa de PO-SiO x y t ox es el tiempo de oxidación en min. Por lo que respecta a las características eléctricas, las estructuras presentaron mínimos de la densidad de trampas en la intercara (D it ) cercanos a 10 11 eV -1 cm -2 . Este valor es inferior al que presentaron las estructuras sin oxidar, del tipo SiN 1.55 :H/Si. Además, los dispositivos apilados mostraron un barrido del nivel de Fermi mayor y una histéresis prácticamente despreciable. Palabras clave: Plasma ECR, oxidación por plasma, subóxido de Si, dieléctrico apilado. Si oxidation processes by electron cyclotron resonance plasmasMIS structures have been fabricated on Si (111) by a two-step process: first an exposition of the Si substrates to an ECR oxygen plasma was performed, which yields a layer of SiO x (in the following PO-SiO x ); this process was followed by an ECR plasma silicon nitride deposition (SiN 1.55 :H). The resulting MIS structure is Al/SiN 1.55 :H/PO-SiO x /Si. Devices have been characterized by the simultaneous measurement of the capacitance at high and low frequencies. This measurement lets us know the PO-SiO x /Si interface quality, calculate the thickness of the PO-SiO x layer and the growth rate of SiN 1.55 :H. To characterize the oxidation process some series of samples were prepared. In each series a process parameter was varied. These parameters were: the SiN 1.55 :H deposition time, the ECR plasma oxidation duration, the substrate temperature and the total oxygen flux. The bonding structure of the stacked dielectric has been studied by infrared spectroscopy. The stacked dielectrics spectra showed the superposition of two peaks: a less intense peak associated to the PO-SiO x layer with i...

Amorphous Gd 2 O 3 thin films were grown on Si by high-pressure sputtering (HPS). In order to minimize the uncontrolled interfacial SiO x , a metallic Gd film was deposited in Ar atmosphere, and afterwards it was in situ plasma oxidized in an Ar/O 2 plasma. For postprocessing interfacial SiO x reduction several top metal electrodes were studied: platinum, aluminum and titanium. It was found that Pt did not react with the electrode or interface. On the other hand, Al reacted with the dielectric reducing capacitance. Finally, Ti was effective in reducing the SiO 2 interface thickness without severely compromising gate dielectric leakage.