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Nous avons mesuré le spectre d'électroréflectance (ER) de films minces de ZnS en appliquant une tension sinusoïdale à des sandwichs Al-ZnS-Al. Par détection synchrone nous avons analysé les variations de la réflectance avec la tension appliquée et nous avons séparé une composante impaire (linéaire) due aux seules couches interfaciales d'une composante paire (quadratique) due à l'ensemble du film isolant. Un désordre structural propre aux films minces pourrait être la cause de l'élargissement considérable des extremums observés et de la validité de l'approximation des champs faibles.Abstract -The electroreflectance (ER) spectra of thin ZnS films have been measured by applying a sinusoidal voltage to Al-ZnS-Al sandwiches.Reflectance variation with applied voltage have been analyzed with a lock-in amplifier. Odd (linear) components due to interfacial layers have been separated from even (quadratic) ones due to the whole film. Structural disorder, specific of thin films, might explain the large broadening of the extrema and make the low field approximation valid.

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