Наш журнал не раз обращался к вопросам полупроводникового производстваметодам получения объемных монокристаллов (кремния, германия и арсенида галлия) и современному состоянию дел в этой области [1-3]. В продолжение темы полупроводникового производства представляем обзор мирового и российского рынков галлия и индия-исходных материалов для синтеза полупроводников современной СВЧ-техники (GaAs, InP). Статья приурочена к 80-летию получения первого в СССР галлия и индия в институте «Гиредмет». И ндий и галлий-редкие рассеянные металлы, которые служат исходными компонентами для синтеза полупроводниковых соединений, широко используемых в современной ВЧ-и СВЧ-технике-GaAs, GaN, InP, InSb и др. (рис. 1, 2). Галлий Галлий-серебристый легкоплавкий металл, типичный представитель редких элементов широкого рассеянияодин из наиболее распространенных среди редких металлов. Содержание галлия составляет 15 ррм всей массы земной коры, что превышает аналогичные показатели таких достаточно редких элементов, как молибден, вольфрам, сурьма, ртуть, мышьяк, висмут. Галлий содержится в химических соединениях на основе окиси алюминия, кремния, сульфидов цинка и мышьяка, германия и меди. По оценкам US Geological Survey (USGS), мировые ресурсы галлия 1 Гиредмет, Москва.

No abstract