No abstract

В данной статье, используя метод туннельной микроскопии и спектроскопии, исследуется доменная структура напряженных тонких высокотемпературных сверхпроводящих пленок иттрий-бариевого купрата. Граница между доменами интерпретируется малоуровневым деформационным потенциалом, в котором локализуются электроны. Наличие заряженной границы приводит к резкому снижению плотности критического тока сверхпроводящих пленок.

The article is devoted to formation of superconducting thin films on the single-crystal substrate where areas with different values of the critical current density are, that is needed for fabrication of superconducting devices. The method is based on an establishment of elastic mechanical stresses on the substrate crystal under the nanosecond focused pulsed laser irradiation. On the irradiated substrate the superconducting thin film having auxiliary elastic stresses not till the area is over the irradiated section of the substrate is grown. At the same time the critical film current density is suppressed for required values are used to fabricate Josephson junctions. Observations for a long time demonstrate superconducting transport film properties are not varied significantly during the maintenance.