The lattice statics model together with the atomistic continuum model is used for the calculation of relaxation due to a vacancy, the vacancy formation energy and divacancy binding energy in the case of some f.c.c. metals whose phonon dispersion curves are available. Using the measured phonon dispersion relations and the elastic constants as constraints the dynamical matrix is derived considering interactions up to the eighth nearest neighbouring shell. The calculation shows that in all the cases the first twelve nearest neighbours relax towards the vacancy and the magnitude of the displacements of the distant neighbours decreases systematically. The available experimental values of the monovacancy formation energy and divacancy binding energy whereever available, show fairly good agreement. Relations among monovacancy formation energy, melting temperature, and activation energy for selfdiffusion are proposed.Das statische Gittermodell zusammen mit dem atomistischen Kontinuumsmodell werden fur die Berechnung der Relaxation, die eine Leerstelle hervorruft, benutzt sowie fur die Leerstellenbildungsenergie und die Doppelleerstellenbindungsenergie fur den Fall einiger k.f.z.-Metalle, deren Phonondispersionskurven zur Verfugung stehen. Mit den gemessenen Phonondispersionsbeziehungen und den elastischen Konstanten als Zwangsbedingung wird die dynamische Matrix unter Beriicksichtigung der Wechselwirkungen bis zu den acht nichsten Nachbarschalen abgeleitet. Die Berechnung zeigt, daD in allen Fallen die ersten zwolf nachsten Nachbarn in Richtung der Leerstelle relaxiieren und die GroDe der Verschiebungen der entfernteren Nachbarn systematisch abnimmt. Die zur Verfugung stehenden experimentellen Werte der Monoleerstellenbildungsenergie und Doppelleerstellenbindungsenergie zeigen ziemlich gute Ubereinstimmung. Beziehungen zwischen Monoleerstellenbildungsenergie, Schmelztemperatur und Aktivierungsenergie fur die Selbstdiffusion werden vorgeschlagen.

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The scattering rates of the free electrons in a semiconductor depend upon the energy band structure of the material. N o semiconductor possesses a parabolic energy band. The acoustic scattering rate of the free electrons for a non-parabolic band is well known for the high lattice temperatures when the scattering is effectively elastic. But when the lattice temperature is quite low (< 20 K) the scattering process becomes inelastic. The effect of the band non-parabolicity on the acoustic and the piezoelectric scattering rates of the free electrons is investigated here under the condition when the lattice temperature is low. The same effect on the piezoelectric scattering rates a t high lattice temperatures is also obtained here. Numerical calculations are carried out at different lattice temperatures for Si which has a low value for the non-parabolicity factor and for InSb which has quite a high value for the same factor. The results are interesting and prompt one to take up further investigation.Die Streurate der freien Elektronen in einem Halbleiter hangt von der Energiebandstruktur des Materials ab. Kein Halbleiter besitzt ein parabolisches Energieband. Gut bekannt ist die akustische Streurate freier Elektronen fur ein nicht-parabolisches Band im Fall hoher Temperaturcn, wenn die Streuung im wesentlichen elastisch ist. Wenn die Gittertemperatur jedoch relativ gering ist ( < 20 K), wird die Streuung inelastisch. Es wird der EinfluR der Band-Nicht-Parabolizitat auf die akustische und piezoelektrische Streurate freier Elektronen fur tiefe Gittertemperaturen untersucht. Analoge Untersuchungen werden fur piezoelektrische Streuung bei hohen Gittertemperaturen berichtet. Numerische Rechnungen werden bei unterschiedlichen Gittertemperaturen fur Si, das eine geringe Nicht-Parabolizit l t besitzt, und InSb mit starker Nicht-Parabolizitiit durchgefuhrt. Die Ergebnisse sind interessant und gebe zu weiteren Untersuchungen AnlaR.

The acoustic-scattering rate of carriers in a degenerate two-dimensional electron gas is calculated for low temperature when the approximations of the we11-known traditional theory are not valid. The numerical results obtained for GaAs and Si show interesting features, significantly different from those that follow from the traditional theory, which presupposes the elastic nature of the scattering process.

At low lattice temperatures when the phonon energy cannot be neglected in comparison to the electron energy the influence of the mass anisotropy on the scattering rates becomes pronounced. Numerical calculations are performed for Ge and Si for electron interactions with acoustic phonons.Bei niedrigen Gittertemperaturen, wenn die Phononenenergie gegeniiber der Elektronenenergie nicht vernachlassigbar ist, wird der EinfluIj der Massenanisotropie auf die Streurate merklich. Es werden numerische Berechnungen der Wechselwirkung von Elektronen mit akustischen Phononen fur Ge und Si durchgefuhrt.