No abstract

En el presente trabajo fue depositado óxido de zinc (ZnO) sobre sustratos de silicio poroso (Si-P) a 400°C y 600°C usando la técnica de pulverización catódica. Los resultados de microscopia electrónica de barrido (SEM, por sus siglas en inglés) revelaron la formación del patrón de huecos interconectados del silicio poroso. El cambio en la morfología de ZnO sobre silicio poroso a diferentes temperaturas fue examinado con microscopia de fuerza atómica (AFM, por sus siglas en inglés). Los resultados AFM revelaron que el ZnO depositado a 400°C presenta menor rugosidad. El incremento de temperatura de depósito causó un incremento en la altura de los granos de ZnO. Los resultados podrían darnos la posibilidad de fabricar sustratos capaces de sensar gas mejorando la sensibilidad debido a los sustratos porosos y  la temperatura de depósito.