No abstract

No abstract

Розроблено методику отримання iнформацiї про розподiл параметрiв кристалiчної структури по товщинi приповерхневого iонно-iмплантованого шару, типи та характеристики радiацiйних дефектiв (розмiр, концентрацiю та iн.). Встановлено вплив основних дифракцiйних параметрiв на кривi дифракцiйного вiдбивання, що дало можливiсть розробити алгоритм наближення експериментальних кривих дифракцiйного вiдбивання теоретично обчисленими. Показано, що при невеликих дозах iмплантацiї на iнтенсивнiсть кривих дифракцiйного вiдбивання величина коефiцiєнта екстинкцiї µ ds найбiльше впливає за межами додаткової осциляцiйної структури, а величина статичного фактора Дебая-Валлера Eв межах останнiх осциляцiй додаткової осциляцiйної структури, якi вiдповiдають максимальнiй деформацiї. При цьому для характеристики дефектної системи необхiдно аналiзувати дифузну складову, використовуючи частину кривої дифракцiйного вiдбивання, яка розмiщена за додатковою осциляцiйною структурою i в якiй вклад когерентної складової є мiнiмальним. Методику апробовано при аналiзi iмплантованих iонами бору плiвок залiзо-iтрiєвого гранату. Представлений пiдхiд дає можливiсть отримати велику кiлькiсть iнформацiї про структуру iонно-iмплантованого шару, оскiльки використовує статистичну динамiчну теорiю розсiяння рентгенiвських променiв, яка враховує наявнiсть дефектiв кристалiчної структури будь-яких типiв та розмiрiв. Також даний пiдхiд дає можливiсть використовувати всю iнформацiю, яку несуть в собi кривi дифракцiйного вiдбивання, та оцiнити ступiнь однозначностi визначених параметрiвКлючовi слова: профiль деформацiї, дифракцiя рентгенiвських променiв, iонна iмплантацiя, дефекти структури, статистична динамiчна теорiя розсiяння рентгенiвських променiв UDC 538.911+519.688