Проведено рентгенографическое исследование структуры и толщины полупроводниковых пленок халь-когенидов цинка и кадмия. Показано, что толщина пленок соизмерима с глубиной половинного слоя ослабления рентгеновских лучей. При нагревании в атмосфере водорода электрическая проводимость пленок увеличивается, а при нагревании в оксиде углерода уменьшается. Получена противоположная тенденция в соотношении величин электрической проводимости и ширины запрещенной зоны исходной и окисленной поверхностей пленок. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43970.174 ВведениеПолупроводниковые пленки имеют широкое приме-нение в области радиотехнической аппаратуры: в опто-электронных устройствах записи информации, для со-здания светодиодов с синим излучением, полупроводни-ковых лазеров, солнечных батарей и элементов систем лазерного телевидения. Параметры и характеристики приборов измерительной техники (например, термоэлек-трических измерительных устройств) улучшаются после нанесения пленки на поверхности преобразователей. Поэтому при изготовлении пленочных преобразовате-лей большое значение имеет технология получения как пленок с исходным составом, так и пленок определен-ной толщины. Пленки наносятся разными способами: термическим испарением в вакууме, катодным распы-лением, электронно-лучевым испарением, мгновенным (взрывным) испарением, химическим и электролитиче-ским осаждением и др. Пленки халькогенидных полупро-водников получаются преимущественно первыми тремя способами [1].Халькогениды цинка и особенно кадмия нашли широ-комасштабное наземное применение в тонкопленочных солнечных элементах (СЭ) [2,3] благодаря максималь-ному среди полупроводниковых материалов теоретиче-скому коэффициенту полезного действия (свыше 29% для CdTe и 17% для CdSe). Считается, что это обу-словлено большими значениями ширины запрещенной зоны (свыше 1 eV), оптимальными для фотоэлектриче-ского преобразования солнечного излучения в наземных условиях. При эксплуатации пленочных СЭ на основе халькогенидов кадмия в наземных условиях на их по-верхности происходит адсорбция газов -компонентов воздуха. В результате этого могут измениться рабо-чие характеристики СЭ. Поэтому всегда актуальными являются исследования как электрофизических свойств тонких полупроводниковых пленок, так и влияния адсор-бированных газов на эти свойства.Цель настоящей работы заключается в анализе влия-ния теплового воздействия и воздействия газовой среды при различных давлениях на электрическую проводи-мость тонких халькогенидных пленок кадмия и цинка. Объекты и методика экспериментаПолупроводниковые пленки халькогенидов цинка (ZnSe, ZnTe) и кадмия (CdSe, CdТe) были получены в установке вакуумного поста ВУП-4К в режиме ди-намического вакуума при давлении 0.133 mPа с помо-щью термического испарения при температуре конден-сации 298 K предварительно очищенных поликристалли-ческих образцов (T = 653 K) на подложки двух типов (керамика и германий) без дополнительного подогрева подложек. При нагревании халькогениды цинка и кадмия могут разделяться на отдельные компоненты, которые испаряются с разными ск...

No abstract