No abstract

No abstract

No abstract

Radar Coastal S-Band adalah sebuah radar maritim buatan dalam negeri yang dibuat untuk dapat diaplikasikan di kapal dan pantai. Pengembangan radar memanfaatkan Frequency Modulated Continuous Wave (FMCW). Berdasarkan kesesuaian dan polarisasi radar, maka penelitian ini akan merancang sebuah radar Coastal S-Band pada receiver dengan merancang sebuah Low Noise Amplifier (LNA) yang akan diaplikasikan pada sebuah permukaan kapal biasa (non-kapal perang). Penelitian dilakukan dengan metode pemodelan sistem melalui pendekatan simulasi. Peneliti memilih mikrostrip dengan metode T-Junction menggunakan transistor ATF-34143. Perancangan dimulai dari mengidentifikasi spesifikasi dari Low Noise Amplifier (LNA) kemudian memilih transistor yang akan dipakai untuk menyimpan data pada rangkaian. Setelah itu membuat rangkaian DC bias yang telah ditentukan selanjutnya menentukan rangkaian penyesuaian impedansi (matching impedance) dan melakukan tahap optimasi hingga memperoleh hasil perancangan yang sesuai spesifikasi.  Berdasarkan hasil simulasi dari perancangan Low Noise Amplifier (LNA) pada frekuensi 3 GHz memperoleh parameter gain (S21) sebesar 14,641 dB, penyesuaian impedansi pada parameter S11 sebesar -11,714 dB dan S22 sebesar -10,756 dB. Selain itu hasil simulasi juga menunjukan faktor kestabilan sebesar 1,117, noise figure sebesar 1,499 serta VSWR kurang dari dua pada masukan dan keluaran.

Satelit nano merupakan satelit yang berukuran kecil yaitu sekitar 10x10x10 cm dengan berat kurang dari 10 kg. Satelit nano menggunakan frekuensi S-band sebagai frekuensi kerjanya yakni 2,4 GHz. Satelit ini mampu mengorbit pada orbit LEO. Pada jarak orbit LEO yang sangat jauh ditambah dengan gangguan lain menyebabkan daya sinyal pengiriman menjadi sangat lemah, maka dibutuhkan penguat pada stasiun bumi agar level daya menjadi stabil seperti daya yang dikirimkan dari nano satelit. Penelitian ini merancang sebuah Low Noise Amplfier (LNA) pada frekuensi 2,4 GHz dengan penguatan 30 dB dan noise figure ≤ 2 dB. Penguat ini dirancang dengan dua tingkat menggunakan lumped elemen dengan  komponen aktif penyusunnya adalah jenis transistor e-pHEMT yaitu ATF 34143, secara simulasi menggunakan software ADS. Pada penelitian ini menghasikan perancangan penguatan maksimum sekitar 30,82 dB; S11=-27,27 dB; S22=-33,9 dB; VSWR1=1,091; VSWR2=1,04; NF=0,481; K=3,387.