No abstract

Представлены различные методы присоединения кристаллов к корпусам полупроводниковых приборов. Качество паяных контактов в существенной степени зависит от образования соединений между компонентами припоя и металлическим покрытием. Для пайки кремниевых кристаллов предложен припой ПОС-5, соответствующий температуре плавления и узкому температурному интервалу затвердевания, что обеспечивает отсутствие усадочной пористости в паяном шве. Приведены результаты испытаний проволоки из сплава ПОС-5 на паяемость кристаллов транзисторных структур.

No abstract

Пленки окисла кремния играют исключительно большую роль в процессе создания кремниевых структур и полупроводниковых приборов. Статья посвящена методам формирования окисных слоев, которые включают в себя: термическое окисление, анодирование в растворах электролитов, пиролитическое осаждение (осаждение из газовой фазы) и плазменное анодирование, или окисление.Ключевые слова: пленка, водород, кислород, окисление, материал, адсорбция окислителя, поверхность, диффузия, окисел, процесс, полупроводники, термическое окисление, пиролитическое осаждение, адгезия и формирование. Film silicon oxide plays an important role in the process of creating silicon structures and semiconductor devices. The article is devoted to methods of formation of oxide layers, which include: thermal oxidation, anodizing in electrolytes, pyrolytic deposition (deposition from the gas phase and plasma anodizing or oxidation.