Des homojonctions InP p+/n ont été obtenues par diffusion de Zn dans InP naturel en ampoule scellée à 500 °C. Les mesures de capacités de diodes Schottky réalisées à divers niveaux de la couche diffusée et les mesures de capacité de l'homojonction permettent de déterminer le profil complet d'accepteurs. Ce profil abrupt permet de rendre compte des mesures d'effet Hall différentiel réalisé sur les couches, il est en bon accord avec le modèle de diffusion décrit par divers auteurs. Les caractérisations électriques et photoélectriques des diodes permettent de déterminer une durée de vie des porteurs dans la zone de charge d'espace en bon accord avec celle du substrat : τ = 3 × 10-9 s et une longueur de diffusion des électrons dans la zone diffusée Ln ≽ 2 μm comparable à celle de substrats de dopage similaire. Ces résultats montrent que la diffusion à 500 °C permet d'obtenir des diodes InP de très bonne qualité sans dégradation apparente du matériau de départ
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