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RESUMENLa contaminación del aire es considerada como uno de los mayores desafíos ambientales debido a sus efectos sobre los ecosistemas y la salud humana. En este estudio se investigan los niveles de concentración y las fuentes de la contaminación por metales pesados en muestras de polvo de caminos recolectadas en varios sitios que incluyen áreas con cuatro actividades diferentes en Delhi, India: industriales, carreteras, residenciales y de uso mixto. El contenido de metales en polvo de caminos se analizó mediante espectroscopia de emisión atómica por plasma de acoplamiento inductivo. Los resultados muestran altos niveles de concentración de Ni, Cr y Pb en áreas industriales. Los coeficientes de correlación de Pearson acoplados con análisis de componentes principales revelaron que el CD, el Cr, el Ni y el Pb están vinculados con fuentes industriales en tanto que el Zn y el Cu proceden principalmente del tráfico vehicular. La contaminación en polvo de caminos se valoró a través de varios métodos: grado de contaminación, índice ecológico e índice de contaminación. El análisis de los factores de contaminación reveló que las muestras de polvo de caminos estaban contaminadas de manera considerable con Zn y Pb. Los índices de potencial ecológico indicaron la presencia de contaminación significativa por Cd y moderada por Pb en el polvo de camino, en tanto que la contaminación por Cr, Cu, Ni y Zn fue baja. El índice de contaminación de la mayoría de los metales fue mayor a 1, lo cual revela un deterioro en la calidad del polvo de caminos en Delhi a causa de las emisiones antrópicas. El grado de contaminación, el índice de potencia ecológico y el índice integrado de contaminación indican que el polvo de caminos en áreas industriales, de carreteras y de uso mixto exhiben alta contaminación por metales pesados. El polvo del camino también está contaminado de manera significativa. Evaluaciones realizadas por diversos métodos indicaron que todas las técnicas son importantes para valorar la calidad ambiental. ABSTRACTAir pollution has been considered one of the major environmental challenges because of its effect on ecosystems and human health. The concentration levels and sources of heavy metals contamination were studied in road dust samples collected from various locations including four different activity areas: industrial, highways, residential and mixed use in Delhi, India. Metal content in road dust was analyzed by inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy. The results showed high concentration levels of Ni, Cr and Pb in industrial areas. Pearson's correlations coupled with principal component analysis revealed that Cd, Cr, Ni and Pb are associated with industrial sources whereas Zn and Cu are mainly contributed by vehicular traffic. Road dust contamination was assessed by various methods: degree of contamination, potential ecological index and pollution index. Contamination factor analysis showed that road dust samples are significantly contaminated by Zn and Pb. The potential ecological indices indicate...

The use of sulfuric acid to strip photoresist from silicon wafers is a widely employed technique in the semiconductor manufacturing community. In most cases, the acid is combined with hydrogen peroxide to oxidize stripped photoresist material, though the use of sparged ozone in sulfuric solution is also used to remove resist residues on wafers following the ashing process. Although they have been used for many years, sulfuric acid processes also have proven to be costly. This is due to the need for frequent bath change-outs and the use of high temperature which impose safety and environmental concerns. As a result of these and other considerations, the use of mixtures of ozone and de-ionized water for photoresist stripping has been investigated. Results show that the technique effectively removes hard-baked resist (ashed and un-ashed) from bare silicon and patterned wafers and produces cleaner surfaces (i.e. particles and metals), compared to outcomes from SPM processes.

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