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Des couches minces de composés de tungsténe ont été préparées sur support de quartz ou silicium, á températures élevées á400 á 480 °C), par d`composition chimique en phase vapeur de l'hexacarbonyle de tungsténe, á pression atmosphérique en présence ou nond'oxygéne. Le tungsténe noir obtenu á 400 °C en présence d'oxygéne présents une bonne absorptivité (a ≈︁ 0,95) mais une trés forte émissivité á 400 °C (e400 °c ° 0,54). Le tungsténe réflecteur préparé a 480 °C, sans apport d'oxygéne, posséde des caractéristiques inverses: mauvaise absorptivité (a ≈︁ 0,49), mais une émissivité a 400 °C correcte (e400 °C ≈︁ 0,11). Nous proposons trois voies pour améliorer la sélectivité spectrale de ces matériaux en vue d'une application en conversion photothermique de l'énergie solaire á moyenne température.