Приведены экспериментальные результаты исследования влияния характера распределения электрического поля между контактными площадками мезапланарных резисторных структур на основе пластин n-GaAs марки САГ-2БК посредством изменения их топологии (плоскопараллельная, плоскозаостренная, встречно-заостренная и вогнуто-заостренная) на воспроизводимость параметров возникающих в них токовых колебаний в сильном электрическом поле: величина порогового напряжения, частота и амплитуда токовых колебаний. Установлено, что структуры со встречно-заостренной топологией металлических площадок, способствующей концентрированию электрического поля у острия и сужению области протекания тока, обладают наибольшей воспроизводимостью таких параметров, как величина порогового напряжения возникновения токовых колебаний и их амплитуда. Для структур с плоскопараллельной формой контактов воспроизводимость результатов экспериментальных измерений наименьшая вследствие высокого влияния краевых эффектов. Ключевые слова: полуизолирующий арсенид галлия, рекомбинационная неустойчивость тока, функциональная электроника.