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On met en évidence un nouveau type de comportement électrique du transistor M,O.S. à drain peu dopé, qui se traduit principalement par un effet de saturation du courant de drain, aussi bien en fonction de la tension de drain que de la tension de grille. Ce phénomène que nous appelons la quasi-saturation, est lié à un effet d'injection de porteurs majoritaires en excès dans le drain. Une analyse simplifiée est proposée pour définir les caractéristiques électriques asymptotiques du transistor M.O.S

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