No abstract

No abstract

No abstract

No abstract

Rdsum6.-La transition semi-mdtal-conducteur n'existe pas dans Bil-xSbx en couches minces. Cependant, le nombre de porteurs de charges augmente pour X > 0.07, concentration P laquelle un dtat semi-conducteur surgit dans les cristaux massifs. On a ddcouvert une augmentation de la concentration des porteurs avec l'amincissement des couches. Ces anomalies sont lides P l'influence de la courbure du potentiel de couche au voisinage des surfaces. On a observe des oscillations de rgsistance en fonction de lt6paisseur et de la composition de l'alliage, oscillations dues B l'effet quantique dimensionnel. Abstract.-It has been found for Bi Sb alloys that no semimetal-semiconductor transition occurs in thin films and the charge k?rigr concentration grows at X > 0.07, where the semiconductive state arises in bulk crystals. The growth of carrier concentration with a decrease in the film thickness is observed. The anomalies are related to the effect of the film potential bending near the surface. The resistance was observed to oscillate with varying film thickness and alloy composition due to the quantum size effect.