2014 Des composants MISFET de bonne qualité sont obtenus avec une double couche alumine-oxyde natif comme isolant de grille. Dans cet article, la loi de croissance de ces deux couches et la composition chimique de l'oxyde interfacial sont étudiées par ellipsométrie et XPS. L'oxyde natif est très proche de In (PO3)3. La comparaison des courbes capacité-tension montre que l'oxyde interfacial doit être plus épais que 5 nm pour obtenir de bonnes propriétés électriques. Abstract. 2014 High quality InP MISFET's with Al2O3/native oxide double layer as gate insulator have been reported. In this paper, the oxide growth law of the double layer and the chemical composition of the interfacial oxyde are studied using ellipsometry and XPS. The native oxide is found to be very similar to