Развитие технологии производства устройств телекоммуникации определило необходимость создания новой элементной базы микроустройств и устройств наноэлектроники, позволяющих реализовать преимущества интегральной технологи. Тенденция к уменьшению геометрических размеров элементов интегральных микросхем породила задачу создания электронных элементов планарной конфигурации. В частности, уменьшению габаритов индуктивностей и емкостей, которые бы при малых размерах имели приемлемые значения электромагнитных параметров. Оценки параметров планарных элементов из-за сингулярностей в расчетных формулах широко известных моделей иногда приводят к ошибочным результатам. Это потребовало создания физико-математических моделей расчёта индукции магнитного поля в центре планарных конструкций, которые были бы ориентированы на планарную технологию. В работе на основе уравнений закона Био-Савара-Лапласа получены аналитические соотношения для расчета магнитной индукции в центре наиболее известных и применяемых на практике планарных спиралей различной конфигурации (архимедова, гиперболическая, Ферма, Галилея, логарифмическая, квадратичная, системы концентрических окружностей, многоугольников и др.). Установлено, что использование плоских спиралей позволяет получить высокие значения индукции магнитного поля, что позволяет использовать их, в частности, в качестве высокотехнологичных элементов индуктивностей в различных частотных диапазонах микро-и наноэлектроники. Ключевые слова: интегральные схемы, планарные спирали, индукция, магнитное поле

Рассматривается дифракция электромагнитных волн на одиночной щели в плоском тонком экране. Показано влияние неоднородности распределения интенсивности падающего излучения в плоскости щели на дифракционную картину. Исследованы два типа неоднородности и получены аналитические решения для расчета распределения интенсивности дифрагированного поля для квадратичной функции и гармонической функции. Полученные соотношения в предельном случае однородного поля в плоскости щели соответствуют известным результатам теории дифракции. Показана зависимость дифракционной картины от характера и степени неоднородности излучения в плоскости отверстия в экране. Для случая неоднородности поля, описываемой квадратичной функцией распределения неоднородности поля по плоскости щели неоднородность не влияет на положение дифракционных минимумов и проявляется в изменении уровня дифракционных максимумов. Рассмотрена зависимость дифракционной картины от величины неоднородности. Неоднородность, описываемая гармонической функцией, при малой степени неоднородности проявляется в величине дифракционных максимумов. При высокой степени неоднородности приводит к качественному искажению дифракционной картины, формированию максимумов высокого порядка с интенсивностью максимумов большей, чем у интенсивности максимумов малого порядка. Установлена область применимости модели однородного распределения поля по поперечному сечению падающего на экран излучения.Ключевые слова: дифракция, электромагнитные волны, неоднородность поля, экран, щель, дифракционные максимумы, смещение дифракционной картины

Эффективное уменьшение размеров электронных систем коммуникации возможно при использовании интегральной технологии. Это определило необходимость разработки эффективных методов расчета схем, изготовляемых методами интегральной технологии. Рассматриваются особенности создания магнитного поля широкими полосками проводников с равномерной плотностью тока, используемых при построении интегральных схем устройств управления параметрами электронных систем телекоммуникации. Известные результаты расчета магнитных полей, создаваемых токами, ограничиваются системами тонких проводников. Это ограничивает область применимости результатов расчета областью слаботочной электроники, когда плотность тока не превышает допустимых значений, определяемых потерями на эффект Джоуля-Ленца. Увеличение уровня мощности интегральных устройств с обеспечением допустимого уровня тепловых потерь определяет необходимость увеличения ширины полосок проводящих элементов интегральных схем и роста уровня мощности создаваемого токами интегральных элементов магнитных полей. С использованием закона Био-Савара-Лапласа получено аналитическое решение для расчета магнитных полей, создаваемых вблизи широких полосок, с равномерным распределением тока по прямому проводнику и для широких кольцевых полосок. Полученные результаты позволяют конструировать высокотехнологичные интегральные схемы высокой мощности с высокой теплостойкостью и механической надежностью.

Глущенко Александр Григорьевичдоктор физико-математических наук, профессор; 2 Глущенко Евгения Павловнакандидат физико-математических наук, доцент; 3 Борисенко Арина Юрьевнастудент, кафедра физики, Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, г. Самара Аннотация: дифракция волн приводит к перераспределению энергии в пространстве. Сигналы, используемые в системах связи и телекоммуникаций, обладают спектром, зависящим от типа модуляции. В статье рассматривается зависимость интенсивности света от длины волны и параметров дифракционной структуры в зоне дифракции. Установлено искажение спектра исходного сигнала в зоне дифракции. Рассмотрена степень искажения спектра в зависимости от параметров дифракционной структуры, установлен рост искажения с увеличением угла дифракции. Ключевые слова: дифракция, дисперсия интенсивности, искажение спектра.