Williams has found that when Mn and Bi are successively evaporated on a glass substrate, followed by prolonged annealing around 300 "C, a ferromagnetic MnBi thin film can be obtained with its c-axis perpendicular to the film plane. I n order to elucidate the formation process of the film, Rutherford backscattering (RBS) experiment, X-ray diffractometry, electron microscope study, and magnetic measurement are carried out. It is found that a t the first stage of annealing up to 250°C a non-magnetic transitional compound Mnl.2Bi is formed, and during the subsequent annealing at 250 "C, the final MnBi crystals with the aligned c-axes nucleate, and grow at the expense of the transitional phase. It seems likely that at the last stage of reaction, a few Bi crystals remaining in the transitional phase may serve as the nuclei.Williams hat gefunden, daB durch sukzessives Aufdampfen von Mn und Bi auf ein Glassubstrat sowie nachfolgender ausgedehnter Temperung bei 300 "C eine ferromagnetische MnBi-Schicht erhalten wird, deren c-Achse senkrecht zur Schichtebene ist. Um den Bildungsprozel) der Schicht aufzudecken, werden Rutherford-Ruckstreu-Experimente (RBS), Rontgendiffraktometrie, Elektronenmikroskopieanalysen und magnetische Messungen durchgefiihrt. Es wird gefunden, daB bei der ersten Ausheilstufe bis 250 "C eine nichtmagnetische Vbergangsverbindung Mn1,zBi gebildet wird und wiihrend der nachfolgenden Temperung bei 250 "C die endgiiltigen MhBi-Kristalle mit ausgerichteter c-Achse gebildet werden und auf Kosten der Vbergangsphase wachsen. Es scheint wahrscheinlich, daB bei den letzten Reaktionsstufen einige Bi-Kristalle, die in der ubergangsphase zuriickbleiben, als Keime wirken konnen.

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