As células solares bifaciais fabricadas em lâminas de silício cristalino tipo n apresentam potencial de obtenção de maior eficiência e bifacialidade próxima a um. Com este foco, o objetivo deste artigo é analisar a influência do método de formação do emissor produzido na mesma etapa térmica que o campo retrodifusor nos parâmetros elétricos de células solares bifaciais base n com estrutura PERT e passivação das superfícies com SiO2. Foi utilizado o método de spin-on e a difusão do boro foi realizada em forno convencional, seguida da difusão do fósforo com POCl3. Variou-se a temperatura de difusão de boro e analisou-se a resistência de folha do emissor e do campo retrodifusor dopado com fósforo bem como a influência nos parâmetros elétricos das células solares bifaciais. Verificou-se que a resistência de folha do emissor de boro diminuiu de (116 ± 6) Ω/sq para (64 ± 2) Ω/sq com o aumento da temperatura de difusão de boro de 940 °C a 980 °C. Porém, a resistência de folha do campo retrodifusor de fósforo aumentou, indicando que a difusão de boro afeta a região dopada com fósforo. As maiores eficiências, de 15,3% e 15,5 % com irradiância no emissor e campo retrodifusor, respectivamente, foi alcançada com a temperatura de difusão de 960 °C. Neste dispositivo, a bifacialidade foi de  0,987. Constatou-se que a tensão de circuito aberto foi maior com irradiância no emissor, independente da temperatura de processamento. Também se concluiu que a tensão de circuito aberto e o fator de forma cresceram até a temperatura de processamento de 960 °C, independente do modo de iluminação. Porém, a densidade de corrente de curto-circuito com irradiância no emissor tendeu a diminuir, devido ao aumento da recombinação dos portadores de carga minoritários. O fator de forma foi o parâmetro elétrico que mais influenciou na eficiência.