Using time-of-flight (TOF) and interrupted-field TOF we have measured the electron and hole drift mobilities, e and h , lifetimes, e and h , and hence carrier ranges, e e and h h , in stabilized a-Se as a function of temperature from −25 to 45°C. Above room temperature, e e and h h show a slight increase with temperature and peak around 31 and 35°C, respectively. The e e at 35°C and h h at 40°C are approximately the same as room temperature values. Below room temperature, down to −25°C, both e and h decrease with decreasing temperature with activation energies E e and E h that are 0.38 and 0.21 eV. The electron and hole lifetimes, e and h , are also thermally activated but they increase with decreasing temperature with activation energies E e and E h that are 0.31 and 0.18 eV. These are quite close to corresponding activation energies for the drift mobilities within experimental errors. The electron and hole ranges, e e and h h , therefore exhibit only a weak temperature dependence, both increase slightly with temperature. These observations are consistent with shallow trap controlled transport in the presence of a set of deep traps. The X-ray sensitivity of a photoconductor, among other factors, depends on the charge collection efficiency, which depends on electron and hole ranges, e e and h h . Because these carrier ranges do not show any significant temperature dependence, one can conclude that the X-ray sensitivity of stabilized a-Se over the temperature range from −25 to 40°C should not be affected by changes in the collection efficiency. Résumé: En utilisant des techniques de temps de vol (TOF), non et interrompu, nous mesurons les mobilités de dérive des électrons et des trous, e et h , les temps de vie, e et h , et donc la portée des porteurs de charge, e e et h h , dans du a-Se stabilisé en fonction de la température, de −25 à 45°C. Au dessus de la température de la salle, e e et h h augmentent légèrement avec la température avec un maximum à 31 et 35°C respectivement. On voit que e e à 35°C et h h à 40°C ont même valeur qu'à la température de la salle. Sous la température de la salle jusqu'à −25°C, à la fois e et h diminuent avec la température, avec des énergies d'activation E e ϭ 0.38 eV et E h ϭ 0.21 eV. Par contre, les temps de vie e et h croissent avec une baisse de la température, avec des énergies d'activation E e = 0.31 eV et E h = 0.18 eV. Aux erreurs de mesure près, ces énergies sont proches de celles pour la mobilité. Il s'ensuit que les portées e e et h h n'ont qu'une faible dépendance en température, les deux augmentant légèrement avec la température. Ces résultats sont cohérents avec ceux obtenus par transport contrôlé par pièges peu profonds en présence de pièges profonds. La sensibilité X d'un photoconducteur, parmi d'autres facteurs, dépend de l'efficacité à collecter des charges, qui, elle, dépend des portées e e et h h . Puisque ces portées ne montrent pas de dépendance significative en température, nous pouvons conclure que la sensibilité X du a-Se stabilisé ne devrait pas être affec...