Es wird ein Verfahren angegeben zur Berechnung der Strom‐Spannungs‐Kennlinien von belichteten pn‐Übergängen und Metall‐Halbleiter‐Kontakten bei linearer Rekombination. Die Gültigkeitsgrenze unserer Überlegungen wird im wesentlichen bestimmt durch die Forderung, daß der elektrostatische Potentialabfall in den raumladungsfreien Gebieten klein bleiben soll gegen k T/q. Rekombination und Generation in den Raumladungs‐Gebieten werden vernachlässigt, es werden also hinreichend große Diffusionslängen vorausgesetzt. Unsere Rechnungen umfassen die Ergebnisse früherer Autoren als Spezialfälle, insbesondere wird der unbelichtete Grenzfall sowohl für den pn‐Übergang als auch für den Metall‐Halbleiter‐Kontakt richtig wiedergegeben.

Bisher zur Theorie des p—η-Übergangs erschienene Arbeiten gehen von der Annahme aus, daß die elektrochemischen Potentiale im Übergangsgebiet nahezu konstant sind. Damit ist der Gültigkeitsbereich dieser Theorien auf große Diffusionslängen beschränkt, ohne daß jedoch eine genauere Grenze angegeben werden konnte. Eine solche Angabe wird durch die vorliegende Arbeit ermöglicht. Ausgehend von den Stromgleichungen für Elektronen und Löcher wird ein allgemeiner Formalismus entwickelt, der zu einem geschlossenen Ausdruck für die elektrochemischen Potentiale führt. Diese Überlegungen werden auf den abrupten symmetrischen p—η-Übergang spezialisiert und für ein konkretes Beispiel numerisch ausgewertet. Es zeigt sich, daß die Anwendbarkeit der obengenannten Theorien auf Diffusionslängen begrenzt ist, die größer sind als die Breite des Übergangsgebietes im unbelasteten Fall. Außerdem wird die Änderung der Strom — Spannungs-Charakteristiken mit abnehmender Diffusionslänge diskutiert und so die Verbindung zu dem in der Literatur bekannten Grenzfall verschwindender Diffusionslänge hergestellt. Die durchgeführten Untersuchungen umfassen die früheren Rechnungen als Spezialfälle und zeigen im wesentlichen Übereinstimmung mit deren Ergebnissen.

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Wir untersuchen den Einfluß ungleicher Lebensdauern der Minoritäts‐ und Majoritätsträger auf die Photospannung an p–n‐Übergängen. Die Rechnung liefert einen geschlossenen Ausdruck, der unmittelbar diskutiert werden kann. Im Gültigkeitsbereich der Ausgangsgleichungen gibt es keine Sättigung der Photospannung.

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