Planar channeling backscattering spectra of 230 keV protons in silicon and diamond, and of 350keV He ions in silicon have been measured. The half wavelengths and the average stopping power of ions oscillating between the crystal planes with an amplitude of half the planar spacing are determined. For the half wavelengths agreement is obtained with theoretical calculations. The average stopping power of the ions considered turns out to be roughly 50% larger than the random stopping power.Fur 230 keV-Protonen in Silizium und Diamant und 350 keV-He-Ionen in Silizium wurden Ruckstreuspektren unter ,,planar-channeling"-Bedingungen gemessen. Die halben Wellenlangen und die mittlere spezifische Abbremsung der Ionen, die mit einer Amplitude des halben Ebenenabstandes zwischen den Kristallebenen oszillieren, werden bestimmt. Fur die halben WellenlLngen wird Ubereinstimmung mit theoretischen Berechnungen erzielt. Die mittlere Abbremsung fur die betrachteten Ionentrajektorien ergibt sich grob zu 50% groBer als die Abbremsung fur eine beliebige (random-) Bahn im Kristall.

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