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The transmission (TIT) and backscattering (qx) of electrons with energies between 0.5 and 4 keV in thin films of Be, Al, Ge, Cu, and Ag, together with their secondary yields (ST, &), were measured with a three-collector system. The SE efficiencies of backscattered electrons were 3 to 15 times greater than those of incident PE. The energy distributions of the transmitted electrons were measured with a spherical retarding field analyser. Average and most probable energies were obtained. Transmission characteristics could be normalized by the maximal penetration range R and in this way generality is achieved for initial energies up to 1 MeV. Die Transmission (qr) und Ruckstreuung (qE) von Elektronen mit Energien zwischen O,5und4keV in diinnen Be-, Al-, Ge-, Cuund Ag-Schichten, zusammen mit ihren Sekundiirausbruten (ST, aE), wurden in einem Drei-Kollektorsystem gemessen. Die SE-Effektivitaten ruckgestreuter Elektronen lagen 3 bis 15mal hoher ale die einfallender PE. Die Energieverteilungen transmittierter Elektronen wurden mit einem spharischen Gegenfeldanalysator aufgenommen. Mittlere und wahrscheinlichste Energien wurden ermittelt. Die Transmissionscharakteristiken konnten mit Hilfe der maximalen Eindringtiefe R normalisiert werden. Auf diesem Wege wird eine Verallgemeinerung fur Anfangsenergien bis zu 1 MeV erzielt.

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