Röntgenographische Untersuchungen an Einkristallen der Verbindungen Ca33Ge, Ca7Ge, Ca3Pb, Ca5Pb3 führten zu folgenden Strukturvorschlägen: Innerhalb der Fehler der experimentellen Ergebnisse können außerdem die folgenden beiden statistischen Besetzungen diskutiert werden: Die Struktur ist sehr ähnlich dem D88‐Typ. Es wurde nochmals bestätigt. daß die beiden Verbindungen Mg5Hg3 und Mn5Si3 im D88‐Typ kristallisieren.

Es wird ein Verfahren zur Herstellung kleiner Einkristalle von MoAs und MoDie Struktur von Mo

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Herrn Prof. Dr. TRENDELENBURG zum 70. Geburtstag gewidmetThe phase diagram of the vanadium-gallium system was investigated by means of thermoanalysis, microscopy, x-ray diffraction, and electron probe analysis.The liquidus curve was measured in the range from 40 -80% Gallium. The existence of the known phases V3Ga (Cr3Si-typ), V6Ga5 (Ti6Sn5-typ), V6Ga7 (Cu5Zn8-typ), V2Ga5 (Mn2Hg5-typ), VjGaO and V5Ga30ar (Mn5Si3-typ) was reestablished. The existence of VsGaOa; and V5 (Ga, Si) 30x is stated and their crystal structure investigated.It is shown that the oxygen content of he samples greatly influences the equilibrium conditions of the system. By means of annealing experiments and dilatometric measurements the phase diagram of the vanadium-gallium-oxygen system was investigated in the range of small oxygen contents.Im System Vanadium -Gallium tritt die supraleitende Kristallart V3Ga auf. Sie besitzt nach MAT-THIAS und Mitarb. 1 Cr3Si-Struktur mit einer Gitterkonstante von 4,816 Ä. V3Ga verdiente bislang ob seiner guten supraleitenden Eigenschaften, vor allem wegen seines von MORIN und Mitarb. 2 abgeschätzten hohen kritischen Feldes #c2>350k0e (bei 0 °K) erhebliches Interesse. Eine Arbeit von LEVINSTEIN, WERNICK und CAPIO 3 zeigt jedoch, daß MORIN und Mitarb. 2 ' 4 höchstwahrscheinlich Hc3 an Stelle von Hc2 gemessen haben. Wir können also nur ein Hc2 von ungefähr 250 kOe für V3Ga erwarten, ein Wert, der nicht wesentlich über dem oberen kritischen Feld von Nb3Sn (220 kOe) liegt 4a . Bezüglich des Sprungpunktes wurde von mehreren Autoren eine starke Abhängigkeit von der Zusammensetzung des V3Ga 5 beobachtet; der Maximalwert von 14,5 °K zählt zu den höchsten bisher bekannten Sprungpunkten 6-12 . Sons, New York 1962, S. 609. 4A E. SAUR et al. konnten neuerdings (Frühjahrstagung der Physikal. Gesellsch. Hessen, Mittelrhein, Saar; 12. bis 16. April 1966) zeigen, daß das Hc2 von V3Ga nur etwa 200 kOe beträgt. 5 Unter V3Ga sei im folgenden die im Cr3Si-Gitter kristallisierende Kristallart mit ihrer ganzen Phasenbreite verstanden. 6 Zusammenfassender Bericht von B. T. MATTHIAS, T. H. GE-BALLE U. V. B. COMPTON, Rev. Mod. Phys. 35,1 [1963]. Uber die Phasenbreite des V3Ga liegen mehrere Literaturangaben vor 7 ' 13-15 , sie soll sich nach WOOD und Mitarb. 13 von 17 -33% Ga 16 erstrecken, ohne daß sich die Gitterkonstante ändert. Demgegenüber wurde in den Arbeiten von VAN VUCHT und Mitarb. u , sowie LEVINSTEIN, WERNICK und CAPIO 3 eine beträchtliche Abhängigkeit der Gitterkonstante vom Galliumgehalt des V3Ga nachgewiesen. Von SAVITSKIJ und Mitarb. 17 , VAN VUCHT und Mitarb. 11 sowie MEISSNER und SCHUBERT 14 wurden Zustandsbilder des Systems V -Ga publiziert, die, ergänzt durch die Arbeit von LEVINSTEIN, WERNICK und CAPIO 3 , ein umfangreiches, allerdings nicht ganz einheitliches Bild des Systems V -Ga liefern. In dieser Arbeit soll versucht werden, auf Grund eigener Ergebnisse einen Beitrag zur Kenntnis des Systems V -Ga vor allem unter Berücksichtigung geringer Sauerstoffgehalte zu leisten. 7 W. E. BLUMBERG, J. EISINGER, V. JACCARI...