A computational method is described which permits accurate determination of oxide capacitance C, and snbstrate impurity concentration N A (or N I , ) from high-frequency capacitance-voltage (C-U) data of a MOS diode in order to evaluate surface state density accurately as a function of surface potential. Using simulated SiO,/p-Si devices with typical parameters of C, = 150 pF, N A = lox5 ~m -~, and the area A = 0.005026 em2 without, surface states, it is theoretically shown tha.t the energy range of 0 ,S E -Ev & 1 eV can be probed with considerable accuracy by the C-Udata with experinientally feasi ble precisions. Experimental results are also presented in order to show the feasibility of the procedure on actual devices with surface state densities ranging orders of magnitude Eiiie numerische Mct'hode wird beschrieben, die am Hochfrequenz-Kapazitats-Spannungs(C-U)-Daten fur eine MOS-Diode die genaue Bestimmung von Oxydkapazitat C,, und Substratdotierung Ark (oder N,) gestattet, die zur genauen Ableitung der Energievert'eilaiig der Oberflachenzustande als Funktion des Oberfliichenpotentials benutzt werden konnen. Durch die Verwendnng von simulierten SiO,/p-Si-MOS-Dioden ohne Oberflachenzustande, niit typischen Parametern von C,, = 150 pF, N A = loi5 und der Flache A = 0,00502G cni2 wird gezeigt, daB bei C-U-Daten mit im Experiment erreichbarer PrBzision der Energiebereich von 0 E -Ev ,S 1 eV mit vortrefflicher Genauigkeit, nntcrsuclit werden kann. Auch experimentelle Werte werden angegeben, um zu zeigen, daB die Methode fur verschiedene, uber mehrere Gro8enordnungen variierende Oberflachenzustnndsdichten angemandt werden liann.
