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Hole trap parameters in Si/SiO, structures are investigated by their charge relaxation after a foregoing hole trap population. A concept based on tunneling between extended Si states and localized SiO, states is developed to explain the logarithmic time dependence, gate voltage dependence, and temperature dependence of hole trap depopulation. A positively charged hole trap level with a trap energy of E = (6.3 0.2) eV above the SiO, valence band edge is found. The corresponding value of the wave vector is IK(E)I = 6.1 nm-' according to the two-band approximation for the K ( E ) relation in the SiO, gap. The hole trap concentration is N = 2 to 5 x l O "~m -~ inside a small (5 nm) near-interface region. These results are in agreement with EPR experiments and confirm that the E-centre (oxygen vacancy) constitutes a dominating paramagnetic defect and a hole trap.Haftstellenparameter von Locherhaftstellen in Si/SiO,-Strukturen werden ermittelt. Hierzu wird der Abbau der Ladung in den Locherhaftstellen durch Tunneln nach vorhergehender Besetzung durch VUV-Bestrahlung analysiert. Dam ist es notig, den Tunnelmechanismus zwischen ausgedehnten Si-Zustanden und lokalisierten Si0,-Zustanden auf der Grundlage der Zweibandnaherung zu behandeln, der die logarithmische Zeitabhangigkeit, die Gatespannungsabhangigkeit und die Temperaturabhangigkeit der Locherhaftstellenentleerung erklart. Die energetische Lage der positiv geladenen Locherhaftstelle wird zu E = (6,3 0,2) eV bestimmt, bezogen auf die Si0,-Leitungsbandkante, mit einem Wert des Wellenvektors von 6,l nm-', in Ubereinstimmung mit der Zweibandnaherung fur die K(E)-Relation im Si0,-Gap. Die Konzentration der vorwiegend nahe der Interface (5 nm) lokalisierten Locherhaftstellen betragt (2 bis 5) x 1019 cm-'. Alle Ergebnisse zur Haftstellenbesetzungskinetik, Konzentration und Verteilung sind in Ubereinstimmung mit EPR-Resultaten, die zeigen, da13 das E-Zentrum (0-Vakanz) die dominierende Locherhaftstelle im SiO, darstellt.

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Messungen der Dichte des flüssigen Galliums bei Drucken bis zu 2500 bar und bei Temperaturen zwischen 50 °C und 600 °C wurden ausgeführt. Die Apparatur bestand aus einem Hochdruckautoklaven mit einem eingebauten Pyknometer aus Wolfram für das flüssige Gallium. Als Drucküberträger diente Argongas. Die Dichte wurde mit einer Genauigkeit von ± 0,03% bestimmt.