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The getter effect induced in silicon by ion‐implantation can be utilized for gettering undesired heavy‐metal ions such as gold. In a model experiment argon ions are implanted in single‐crystal silicon wafers homogeneously doped with gold. The lattice imperfections caused by the implantation act during an annealing step as a sink for diffused gold, which is in this way gettered. The increase in the concentration of gold in the implanted region is determined by autoradiography. Local resolution is limited to about 5 μm by the resolution of the film used. The getter effect is already observable with doses far smaller than the implantation dose required for amorphization of the silicon crystal. The getter effect increases with the implantation dose. The potential uses of autoradiography for further investigation of the getter effect are discussed.

Bei der anodischen Oxydation von Reinst‐Aluminium in wäßrigen Phosphorsäurelösungen nimmt der Einbau von Phosphor aus dem Elektrolyten mit der Formierspannung (20 V bis 100 V) und der Formiertemperatur zu. In Abbängigkeit von der Stromdichte durchläuft die Phosphorinkorporation bei 5 mA/cm2 ein Minimum. Für diesen Fall wird die Überlagerung einer Eloxalschichtbitlung und eines stromdichteproportionalen Fremdioneneinbaus diskutiert. Bei Aluminium, das vor der Formierung durch Reaktion mit heißem Wasser mit einer Hydrozidschicht überzogen wurde, ist der Phosphorgehalt von Formierspannung und ‐stromdichte unabhängig und nimmt mit steigender Temperatur zu. Daraus folgt, daß sich keine Eloxalschicht bildet und daß der Phosphor überwiegend durch chemische Reaktion zwischen Hydroxid und Phosphorsäure aufgenommen wird. Zur Bestimmung der Phosphorkonzentration wurde die Radiotracer‐Methode angewandt.

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