An investigation is made of the distribution of resistivity, lifetime of minority charge carriers, concentration and mobility of majority charge carriers, and mechanical stresses in the cross section (80 mm in diameter) of monocrystalline silicon doped with arsenic up to a concentration of 6 x 1014 ~m -~. Changing of the above parameters in the thermal treatment of the semiconductor a t temperatures from 900 to 1300 "C is considered and the inf hence of 0,, C, and Sic on the thermostability of Si is analysed. Es wird die Verteilung des Widerstands, der Lebensdauer der Minoritiitsladungstrager, der Konzentration und Beweglichkeit der Majoritatsladungstrager und der mechanischen Spannungen im Querschnitt (80 mm im Durchmesser) von Siliziumeinkristallen m.it Arsendotierung bis zu Konzentrationen von 6 x 1014 ern+ untersucht. Weiter wird die Anderung dieser Parameter bei der Temperung der Halbleiter bei Temperaturen von 900 bis 1300 O C nntersucht und der EinfluB von 0,, C und Sic auf die Thermostabilitat von Si analysiert.

No abstract

A study has been made of the distribution of resistivity, concentration, and mobility of majority charge carriers, lifetime of minority charge carriers, and microhardness along Si wafer areas of more than 60 mm diameter grown in [lo01 direction doped wit,h As to 50 and 150 Rcm resistivity. Metallographic, X-ray, and electron microscopic investigations of both dislocation and dislocation-free ingots indicate high structural perfection. The influence is analysed of thermal treatment from 900 to 1300 "C on the stability of electrical and structural parameters of silicon and the concentration change of electrically inactive oxygen and carbon.Es wird die Verteilung des Widerstands, der Konzentration und Beweglichkeit der Majoritiitsladungstriiger, der Lebensdauer der Minoritatsladungstriger und der Mikroharte iiber der Fliiche eines Si-Wafers von mehr als 60 mm Durchmesser untersucht, der in [loo]-Richtung gewachsen und mit As zu 60 und 150 Rcm Widerstand dotiert ist. Die metallographischen, rontgenographischen und elektronenmikroskopischen Untersuchungen von Proben sowohl mit als auch ohne Versetzungen zeigen eine hohe strukturelle Perfektion. Weiterhin werden der EinfluB einer thermischen Behandlung von 900 bis 1300 "C auf die Stabilitiit der elektrischen und strukturellen Parameter von Silizium sowie die Konzentrationsinderung von elektrisch inaktivem Sauerstoff und Kohlenstoff analysiert.

Experimental results are presented on the influence of an inhomogeneous distribution of resistivity, majority charge carrier concentration, and crystallographic defects along an As-doped (100) oriented Si wafer area of 60 mm diameter on the localization of avalanche breakdown in p-n-and p-n-p-structures. The disagreement between the theoretical and experimental values of the avalanche breakdown voltage in dependence on the charge carrier concentration is analysed and a mechanism of the given phenomenon is suggested.Es werden experimentelle Ergebnisse iiber den EinfluB einer inhomogenen Verteilung des Widerstands, der Majoritatsladungstrkgerkonzentration und der kristallographischen Defekte einer As-dotierten, in (100)-Richtung orientierten Si-Waferflache von 60 mm Durchmesser auf die Lokalisierung von Lawinendurchbruch in p-n-und p-n-p-Strnkturen mitgeteilt. Die Nichtiibereinstimmung zwischen theoretischen und experimentellen Werten der Lawinendurchbruchspannung in Abhangigkeit von der Ladungstragerkonzentration wird analysiert und Mechanismen fur die angegebenen Phiinomene werden vorgeschlagen.