Neste artigo, uma nova proposta de metodologia para estimativa de perdas em conversores que empregam transistores GaN do tipo Intensificação (eGaN) é apresentada. A metodologia proposta apresenta como diferenciais, em relação aos demais trabalhos existentes na literatura, dois pontos principais. O primeiro deles é a consideração do efeito das temperaturas medidas nos transistores GaN e nos elementos magnéticos, relacionado às perdas nestes elementos. A outra contribuição é uma estimativa de perdas como uma alternativa para os desafios de medição de tensões e correntes nos transistores GaN, incluindo menores diferenças entre as perdas estimadas e experimentais do conversor, em diversos pontos de operação. Para a validação da metodologia proposta, dois estudos de caso que utilizam dispositivos GaN em um conversor Buck Síncrono foram implementados. O primeiro estudo de caso faz uso de uma solução monolítica com transistores eGaN e o segundo estudo de caso utiliza uma solução discreta de transistores GaN. Por fim, por meio da aplicação do modelo de estimativa de perdas desenvolvido nos estudos de caso 1 e 2, obtiveram-se erros de 0,034% e 0,122%, respectivamente, entre os valores estimados e os valores medidos, em potência nominal.