Hgl-,Cd,Te, with z = 0.15 is a semimetal a t low temperature (4.2 K) and becomes a narrow-gap semiconductor a t higher ones (77 K). Its transport properties are measured a t different temperatures, magnetic fields, and hydrostatic pressures. Based on the measured data, an analytical three-band model is developed to calculate the concentrations and mobilities of the resulting two types of electrons and one type of holes. The existence of the slow electrons are related to the presence of acceptor states in the conduction band, as it is already elucidated in the case of zerogap HgTe. The concordance of the calculated transport properties, based on this model, with the measured ones supports the subsistence of three types of carriers in the narrow-gap HgCdTe.Hgl-,Cd,Te mit z = 0,15 ist ein Halbmetall bei tiefen Temperaturen (4,2 K) und wird ein schmalluckiger Halbleiter bei hoheren Temperaturen (77 K). Seine Transporteigenschaften werden bei verschiedenen Temperaturen, Magnetfeldern und hydrostatischen Drucken gemessen. Auf Grund der gemessenen Daten wird ein analytisches Dreibandmodell entwickelt, um die Konzentrationen und Beweglichkeiteu der resultierenden beiden Elektronensorten und der einen Locherart zu berechnen. Die Existenz der langsamen Elektronen wird auf Akzeptorzustande im Leitungsband zuruckgefuhrt, wie bereits fur den Fall des Null-Gap-HgTe gefunden wurde. Die Ubereinstimmung der nach diesem Model1 berechneten Transporteigenschaften mit den gemessenen bestiitigt die Koexistenz von drei Tragerarten in schmalluckigem HgCdTe.

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