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The variation with illumination of the grain boundary (GB) barrier height EB and of the effective recombination velocity Seff is calculated by means of a self-consistent procedure which takes into account the bending of the minority carrier quasi-Fermi level in the GB space-charge region and in the GB quasi-neutral region. The GB interface states have been assumed to be uniformly distributed in a half-filled band whose width and position in the band gap can vary. Seff is nearly proportional to exp(EB/kT), only when EB is sufficiently low. For high EB, Seff is limited by the thermal velocity. The influence of the density of interface states and the grain doping concentration has been studied. The experimental results obtained with Silso–Wacker polycrystalline silicon show that the grain boundaries present different behaviors.

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2014 Les photocourants, les longueurs de diffusion (L) et les vitesses de recombinaison aux joints de grains (s) ont été mesurés à l'aide d'un système de balayage optique sur des échantillons de silicium polycristallin de type N et P. Selon le type des grains, L varie entre 5 03BCm et 150 03BCm et s est supérieur à 104 cm.s-1. Les resultats concernant les mesures locales des longueurs de diffusion montrent qu'au voisinage des joints de grains s'exercent des fortes contraintes. Il semble que les potentiels de barrière aux joints de grains sont plus importants dans les échantillons de type N que dans ceux de type P pour expliquer la plus grande activité recombinante des joints de grains dans le silicium polycristallin de type N que dans celui de type P.

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