The energies for the ground and excited states of a D 0 impurity located at the center of a GaAs/ Ga 1Àx Al x As spherical quantum dot are calculated, in the effective-mass approximation, as functions of the dot radius R and spatial size. We use a variational procedure and take linear combinations of Gaussian and Slater orbitals for the impurity-envelope wave functions. A model barrier potential is proposed to study changes in the potential introduced by diffusion effects. The binding energy of a 1s 2 -like D À impurity is also studied by considering a parabolic correlation factor. It is found that the D 0 and D À binding energies increase as the dot size decreases up to a critical dot radius R R c and then, for R slightly smaller than R c , the impurity wave function spreads to the barrier region and the 3D character is rapidly restored. The critical dot radius R R c is estimated by using the uncertainty relations.

En el siguiente artículo se presentan una serie de estudios sobre la temática afrodescendiente, los cuales se han producido desde diversas disciplinas en Colombia desde el 2008 hasta el 2013. El objetivo principal de éste es exponer las publicaciones que se han elaborado después de la compilación bibliográfica publicada por Restrepo y Rojas (2008) hasta hoy. La realización de este artículo se basó en las fuentes disponibles sobre la temática como libros, artículos, tesis, etc., con los cuales se elabora una revisión de tipo cronológico en el lapso de tiempo mencionado anteriormente. Se espera que a través de esta publicación se revelen contrastes sobre los estudios afro que se dan desde distintas perspectivas disciplinarias.