The properties of bismuth triselenide (BiaSea) are already known to a certain extent through the work of several authors, while it was still an open question whether there exists an individual solid phase of BiSe. Further information on this subject could be obtained by the successful growth and investigation of single crystals of both Bi~Se a and Bias % . X-ray analysis by means of goniometry, WeiBenberg, Laue, and Debye-Scherrer diagrams confirmed the known crystal structure of BizS% (ditrigonal scalenohedral; D~d-R-3m; with the hexagonal axes: a = 4"t5 ~k and ~=28"55 ]k, and 3 molecules per unit cell). As to BizSe 2 it cart be shown that it belongs to the same class but to a different space group (D~ d --P 3 I m or D~ d --P 3 m t ; hexagonal axes : a = 4' 15 A, c = 22.84 ~k, unit cell: 3 molecules, if the formula Bi2S % is adopted). Common to both is a subcell with the dimensions: a'= a = 4"15 A and c'= 5'71 A. The temperature dependence of electrical conductivity and Hail coefficient was measured on several specimens having different crystal orientations. The most striking difference is the high anisotropy of Biz Se a (~ra/(r c = t 0) as compared with Bi 2 Se a (aa/(r c < 2). All specimens turn.ed out to be n4ype. The room temperature carrier concentration observed was: n (Bias @ = 8.10 is cm -~ and n (Bi~Sea)= 4.t02~ cm -a, the carrier mobility: /~ (Bi2Sea) = 2-t0 a cm2/V . s and /z (BiaS%) = 20 cm2/V -s.

No abstract

Es wird fiber die Herstellung yon PbSe-Schichten durch das gleichzeitige Verdampfen einkristallinen Bleiselenids und elementaren Selens ira Vakuum berichtet. Dutch Untersuehungen fiber den EinfluB des zus~tzllch verdampften Selens auf den Verlauf des Leitwertes der Schichten w~ihrend ihrer Herstellung kann auf die Vorggnge bet der Kondensation der Schiehten geschlossen werden. I)araus ergeben sich Aufdampibedingungen, die zu sehr gut reproduzierbaren ]Eigenschaften und hohen Empfindlichkeiten der Schichten ffihren. A method is described how PbSe-layers may be prepared in vacuum by co-evaporation of single crystal leadselenide and elementary selenium. The influence of additionally evaporated selenium on layer conductance during the preparation provides information concerning the process of condensation and film formation. The evaporation and deposition parameters thus gained lead to a technique of preparing films which show well reproducible properties and high photosensitivity.

A. Der Einflug yon Quecksilberdampf 1, Ei~rUber die elektrischen und lichtelektrischen Vorg~nge in Einkristallen yon PbS, PbSe und PbTe ist durc h die in den letzten Jahren erschienenen Arbeiten ([9], [10], [12], [14] Urn die PbSe-Schichten verschiedenen Dampfdrucken yon Quecksilber aussetzen zu k6nnen, wurden sie in einen evakuierten Glaskolben eingeschlossen. Er hatte die in Fig. 2 skizzierte Gestalt.Die zu untersuchenden PbSe-Schichten wurden auf ein Glasgestell (9) montiert. Um eine Reaktion der D~mpfe mit dem Metall weitgehend zu verhindern, wnrden die Stromdurehfiihrungen soweit mggtich mit Glas, an den iibrigen Stellen mit Itydrokollag aberzogen. Das Gestetl mit der PbSe-Schicht wurde in den Glaskolben eingesehmolzen, der vor dem Abziehen yon der Pumpe mehrere Stunden bei t00~ ausgeheizt wurde.In dem senkrechten Rohransatz des Me/3kolbens befand sich eine mit Quecksilber gefallte, ditnnwandige Glasampulle (8) zu erreichen, ist die Photoleitung hier (Fig. 4) (6), (7) Dariiber hinaus intissen die Bedingung des thermischen Gleichgewichtes zwischen Elektronen und Defektelektronen [A] = const ersetzt. Die Konstanten wurden wie folgt angenommen*[A] --7,2" t0 is cm -a ni = 3,6" t0 *6 cm -a K 1 = K= = K = 3,6" 10 is cm -a.In der Fig. 5 ist der Zusammenhang zwischen den Konzentrationen n/n und p/ni einerseits und der Variablen ~ andererseits dargestellt, wenn man die G1. (10) Die entsprechenden Beziehungen ftir die Photoleitung werden auf analogem Wege gewonnen. Im Gleichgewicht ist die Zahl A n L der * Die Inversionsdichte n i wurde berechnet ftir einen mittleren 13andabstand im PbSe yon zJE = 0,34 eV (S,xlT~ [16]) und Zimmertemperatur. Die feste Akzeptorenkonzen~cration [A ] ergibt sicE mit der Annahme, dab die Anfangskonzentration der L6cher P0 ~ t00"ni betrggt, aus G1. (10). ]Die AbschXtzung der IKonstanten K 1 =/g~ = K entspricht einer Lage der St6rterme yon zl e ~ 0,2 eV oberhalb bzw. unterhalb der entsprechenden Bandkante. --Die verschiedenen Annahmen, die zur Berechnung der tZonstanten fiihren, erscheinen plausibeI. Die Gr613e der ]Konstanten ist tiberdies fiir die Rechnung selbst nicEt kritisch. Iichtelektrisch zus~ttzlich erzeugten Ladungstr~iger der Erzeugungsrate gc und der Lebensdauer der Ladungstrfiger z proportional:A nL : gL" ~.Vernachl/~ssigt man direkte Rekombinationen fiber die Breite der verbotenen Zone, so ist die Lebensdauer ~ yon der thermischen Gesehwin- also geht G1. (13) Aus dieser Schar kommt nun die Kurve far b = 3 (Fig. 8)

No abstract