Este trabalho apresenta o desenvolvimento da corrosão do Silício usando solução de NH4OH para obtenção de nano fios de Si (com dimensões menores do que 100 nm) que são usados como canal de condução de corrente elétrica de transistores FinFET, que são dispositivos MOS tridimensionais. As seguintes etapas de processo foram usadas para a fabricação dos nano fios de Si: I) limpeza dos substratos; ii) oxidação térmica para crescimento de 100 nm de SiO 2; iii) litografia para definição de regiões expostas de Si; iv) corrosão do SiO2 com solução de HF; v) limpeza orgânica para a retirada de fotoresiste; vi) corrosão por plasma da camada de Si sem proteção de SiO2; vii) corrosão com solução de NH4OH para afinamento das estruturas de Si sob o SiO2; viii) corrosão do SiO2 sob os nano-fios. Para a caracterização, os nano-fios de Si foram analisados da forma : i) estrutural (cristalinidade e tensão, e composição na superfície), através de espectroscopias Raman e XPS, ii) morfológica da superfície e seção transversal através da microscopia eletrônica de varredura (SEM-Scanning Electron Microscopy), e rugosidade da superfície através da microscopia de força atômica (AFM-Atomic Force Microscopy).