Se presenta la metodología para posicionar adecuadamente las antenas en altura sobre la superficie terrestre en un radioenlace de microondas con visibilidad directa (LOS) a partir de su perfil radioeléctrico. Se describen el efecto de la atmósfera terrestre sobre las señales de radiofrecuencia, el factor de radio terrestre efectivo para México y el análisis de la primera zona de Fresnel. Con la posición adecuada de las antenas asegurando despeje de obstáculos a la primera zona de Fresnel se consigue apropiada recepción de haces transmitidos arribando por diferentes trayectorias a la antena del otro extremo, todos en fase con el haz directo en LOS.

ResumenSe presenta el diseño de una antena bocina -lente RADANT con escaneo electrónico de haz para la banda de frecuencias Ka. El prototipo de la antena consiste de una lente Radant de 2 bits instalada para la abertura de una antena de bocina tipo sectorial E. Un par de rejillas, con estructura rectangular de abertura impresa sobre substrato dieléctrico con conmutador diodo PIN como carga en cada nodo, genera 90° de desplazamiento de fase de la onda incidente, con coeficiente de reflexión inferior a -4.3 dB y coeficiente de transmisión superior a -0.34 dB. El desempeño de la lente diseñada con tres pares de rejillas, sobre una onda incidente con polarización en plano E, es verificada experimentalmente. Utilizando el modelo matemático de diseño se encuentra la geometría de la lente RADANT y la adecuada configuración de la polarización de los conmutadores, alcanzando resultados de escaneo electrónico de haz hacia las direcciones de 11.35° y 8.6°, ambos con valor de directividad superior a 14 dB. AbstractThe design of a Horn-RADANT lens with electronic beam scanning for the Ka frequency band is presented. The prototype of the antenna consists of a 2bit Radant lens installed on the aperture of an E-sectorial horn antenna. A pair of grids, with rectangular slot antenna printed on dielectric substrate with PIN diode switch as load in each node generates 90° phase shift of the incident wave with reflection coefficient lower than -4.3 dB, and a transmission coefficient above -0.34 dB. The lens performance designed with three pair of grids, over an E-polarized plane wave, is experimentaly verified. Using a mathematical model for the design, the RADANT lens geometry and the adecuate configuration of the bias switches have been obtained, reaching electronic beam-steering angles of 11.35° and 8.6°, both of them with directivity greater than 14 dB.

Se presenta un análisis de desempeño de conmutadores de microondas compuestos, de una entrada y una salida (SPST), diseñados con diodos p-i-n tipo masa con diferentes tipos de materiales semiconductores para las bandas de frecuencia Ku y Ka. Las dos configuraciones de conmutadores compuestos más comunes son aquellos con diodos p-i-n ubicados en diseños serie-paralelo y serie-paralelo-serie (TEE) y aquí son analizados utilizando materiales semiconductores de Si, GaAs, GaN-WZ, GaN-ZB, GaSb, InP y SiC. Se presenta la metodología utilizada en los cálculos de resistencia serie y capacitancia de unión en los diodos p-i-n con el propósito de calcular los parámetros de desempeño propios de cada dispositivo conmutador. Estos parámetros son pérdida de inserción y aislamiento.  Los conmutadores de tipo serie-paralelo, exceptuando el conmutador basado en diodo p-i-n de SiC-6 H, exhiben pérdidas de inserción menores a 0.2 dB y aislamiento hasta 41dB a la frecuencia de operación de 12 GHz. El conmutador diodo p-i-n tipo TEE con base en GaN-ZB tiene la mejor respuesta de pérdida de inserción menor a 0.23 dB y aislamiento hasta 52 dB, a las frecuencias de operación de 12 GHz y 30 GHz. El conmutador compuesto con base en diodo p-i-n de GaSb alcanza el mejor desempeño a la frecuencia de 12 GHz. Los conmutadores de microondas con configuración TEE tienen respuestas satisfactorias para la frecuencia de 30 GHz.

No abstract