Представлены результаты феноменологического исследования кинетики аномального фотоотклика слои-стого сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe 2 в области температур T ∼ 170−280 K, соответствующей параэлектрической фазе кристалла. С учетом изменений с температурой кинетики фотоотклика пред-ложены основные механизмы возникновения аномалий, связанные с пространственной неоднородностью локализованных и нелокализованных зарядов в объеме кристалла. Предложен механизм возникновения параметрического резонанса как обусловленного фотогальваническими токами в кристалле.

No abstract