One of the most important areas of modern technology is the creation of new structural materials with predetermined properties. Along with industrial methods for their preparation and technologies associated with the artificial growth of crystalline structures, various methods of computer modeling of new materials have recently become increasingly important. Such approaches can significantly reduce the number of full-scale experiments. Many applications of the computational materials science are related to the need to establish a relationship between structure and electronic characteristics, and other physical properties of crystals. This article on the example of crystalline β-Ga2O3 presents the algorithms used in the converting of the coordinates of the basis atoms in a unit cell of crystal, specified in a  crystallographic system, in the Cartesian coordinates for the computational experiment.

Методами функцiонала електронної густини та псевдопотенцiалу, iз перших принципiв, з використанням авторського програмного коду отримано просторовi розподiли густини валентних електронiв, знайдено густини електронних станiв, ширини заборонених зон у надтонких плiвках β-Ga2O3 з рiзними вiльними поверхнями пiд впливом механiчного стиснення. Показано, що товщина плiвки β-Ga2O3, тип вiльної поверхнi плiвки та механiчна дiя стиснення дозволяють керувати провiдними властивостями надтонких плiвок β-Ga2O3.

Виконано теоретичні розрахунки з використанням функціоналу електронної густини, псевдопотенціалу із перших принципів, власного програмного коду щодо оцінювання електронних властивостей різних наноструктур на основі β-Ga2O3. Визначено керувальні впливи товщини, типу вiльної поверхнi,механiчної дiї стиснення на провiдні властивості надтонких плiвок β-Ga2O3. Встановлено, що плівка з поверхнею (010) товщиною 0,304 нм, яка трактувалася як 2D-об’єкт, у вихідному (нестисненому) стані має величину забороненої зони майже в п’ять разів більше, ніж у масивного кристалу β-Ga2O3. Плівка з неплоскою поверхнею (100) товщиною 1,29 нм під час стиснення до 30 % має величину забороненої зони, що рівна нулеві. Під час стиснення надтонких плівок утворюються орієнтаційні дефекти хімічних зв’язків, що проявляються в різкій та немонотонній зміні ширин електронних заборонених зон. Досліджено сенсорну чутливість наночастинок β-Ga2O3 різних форм(сферичної та призмоподібної) до газових молекул CO, NH3, O3, що локалізувалися або поблизу атомів Ga чи О. Встановлено, що наночастинки обох форм можуть служити ефективними резистивними детекторами молекул CO і NH3. Більш яскрава реакція на молекули СО була зафіксована у сферичної частинки, а щодо молекул NH3 – у призмоподібної частинки. Проте активна ділянка наночастинок, як детекторів локалізувалася біля атомів Ga. На молекули О3 ефективно реагували тільки сферичні наночастинки, збільшуючи свою провідність. Встановлено синергетичні властивості масивів нанодротів на основі β-Ga2O3 за допомогою визначення ступеня впливу дротів один на одного залежно від геометричних параметрів їх взаємного розташування в масиві й електронні характеристики масиву дротів як єдиного цілого. Масиви дротів β-Ga2O3 циліндричної форми і більшого діаметра виявляють більш контрольовані та фізично аргументовані синергетичні електронні характеристики, ніж масиви дротів циліндричної форми меншого діаметра та призмоподібної форми. Оцінено ефективність легування р-типу нанооб’єктів на основі β-Ga2O3 різними металами та неметалами. Вказано перспективні домішки р-типу: атоми двовалентних металів – Mg, Ca, Zn, що заміщують атоми галію та атоми неметалу N, що заміщують різно позиційовані атоми кисню.