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Data are presented on the characterization of deep electron traps in six different undoped single crystals of CdS and in one alloy of CdS96Se4. The obtained spectra by the capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS) of the seven samples are very similar with only two or three distinct maxima observed between liquid nitrogen and room temperature. Detailed analysis of the DLTS and admittance spectroscopy reveals that three deep levels:EL1 (200±10 meV, Se ≃10−14 cm−2), EL2 (430±30 meV, Se≃10−12 cm2), and EL4 (630±30 meV, Se ≃10−14 cm2), are present in almost all samples. Direct measurements of the capture cross sections indicate that the capture of an electron occurs with a small lattice relaxation in the case of EL1 and a large lattice relaxation in the case of EL2. Two other trap levels, EL3 (520±30 meV, Se ≃10−11 cm2) and EL5 (750±40 meV, Se ≃10−11 cm2), are also detected in two respective samples. Comparisons are made with previous data obtained in semi-insulating and semiconducting CdS crystals. Illumination of the sample at low temperatures induces a permanent capacitance change due to electron excitation from a very deep level which cannot be electrically refilled at liquid-nitrogen temperature. The energy threshold E≃1.4 eV of the spectral response of this emptying process is an indication that this level is probably the same as the sensitizing center. Direct measurements of the temperature dependence of its capture cross section, Sc =4×10−23 exp (−0.042/kT) cm2 is direct of the doubly ionized acceptor -like imperfection, probably associated to a cadmium vacancy VCd.

Nous décrivons le principe de fonctionnement de filtres optiques fonctionnant par transfert d'énergie entre deux modes électromagnétiques couplés polarisés à angle droit. Nous montrons que ce phénomène existe non seulement dans des matériaux à structure Wurtzite mais aussi dans des matériaux à structure zinc-blende. Ceci démontre que le couplage n'est pas spécifique à une classe cristalline et étend le domaine potentiel d'applications de l'ultra-violet, ∼ 1 000 Å, au proche infrarouge. Les matériaux à structure Wurtzite et à forte dispersion de biréfringence tels CdS, CdSxSe1- x et Zn1-xCdxS donnent des structures passe-bande ou coupe-bande extrêmement sélectives, Δλ ∼ 5 à 10 Å avec des taux de réjection hors-bande de l'ordre de 103. La fréquence d'accord est soit fixe soit continuement accordable depuis 4 300 Å jusqu'à 7 100 Å. Le facteur de transmission en bande passante atteint 80 % à 77 K mais est réduit à 20 % à 300 K par l'absorption résiduelle au voisinage du seuil d'absorption fondamentale. Dans les matériaux à structure zinc-blende, tel ZnTe, l'amplitude de la biréfringence induite par compression est faible ce qui donne une largeur de bande de l'ordre de 100 Å. Cette largeur de bande peut toutefois être modifiée entre quelque 20 et 150 Å en ajustant la valeur de la contrainte. A titre d'illustration nous terminons cet article par l'examen des performances limites d'une structure coupe-bande à CdS, dont le taux de réjection atteint 75 db, susceptible d'être utilisée dans une application du type spectroscopie Raman

Coupling of polarized optical waves in wurtzite II-VI mixed crystals is studied. It is shown that these crystals provide narrow-band optical filters over a wide spectral range.PACS numbers: 42.80.C, 78.20.D