Linfluence de lirradiation de particules chargees (helium, electrons, protons, ions lourds, etc.) sur une photopile au silicium n+-p-p+ sous eclairement dune lumiere monochromatique est consideree dans la determination de lepaisseur optimum de la base. Des expressions de la vitesse de recombinaison a la face arriere (Sb1 intrinseque et Sb2 dependante de labsorption de la lumiere) sont comparees graphiquement, donnant les epaisseurs optimales necessaires pour lelaboration de photopilesau silicium devant fonctionner dans des cas de flux denergie dirradiation.

Lobjet de cette etude est de presenter une application de la technique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit dune photopile monofaciale au silicium, , sous eclairement polychromatique, sous irradiation et sous champ magnetique, en regime dynamique frequentiel. Apres la resolution de lequation de magneto-diffusion des porteurs minoritaires de charges en regime dynamique, les expressions de la densite des porteurs minoritaires de charge et de la densite de photocourant ont ete etablies. La densite des porteurs minoritaires de charge est etudiee en fonction de la profondeur dans la base de la photopile pour differentes valeurs de la frequence de modulation. La densite de photocourant est etudiee en fonction de la vitesse de recombinaison a la jonction pour differentes frequences de modulation. A partir du profil de variation de la densite de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison a la jonction, une technique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit est presentee. Les influences de la frequence de modulation, de lirradiation et du champ magnetique sur la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit, sur le photocourant de court-circuit et sur la resistance shunt ont ete egalement etudiees.

Les parametres phenomelogiques dans la photopile (n+/p/p+) au silicium a jonctions verticales series, sous eclairement, sont utilises pour extraire la resistance serie, pour chaque dose dirradiation appliquee. Lequation de diffusion des porteurs minoritaires de charge electriques dans la base (p) est influencee par le flux et lintensite de lirradiation par des particules chargees. Sa resolution conduit a la densite de courant de charges electriques et la phototension, qui permettent detablir la caracteristique Jph-Vph, pour chaque dose dirradiation. Le modele electrique equivalent a la photopile, en fonctionnement de circuit ouvert, permet de deduire la resistance serie pour chaque epaisseur de base(p) optimisee et chaque dose dirradiation.

Ce travail consiste a faire une etude de la capacite de la photopile a jonction verticale serie sous eclairement monochromatique en tenant compte de la longueur donde et de la profondeur. Lequation de continuite, traduisant, les phenomenes de generation, de diffusion et de recombinaison des porteurs de charge photogeneres dans la base de la photopile est resolue en tenant compte des vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere. Une etude de la capacite de diffusion en fonction des vitesses de recombinaison a la jonction base-emetteur mais aussi en fonction de la phototension a permis de determiner une capacite initiale Co, pour differentes longueurs donde de leclairement incident et pour differentes valeurs de la profondeur.