Застосування сучасних прикладних комп'ютерних програм розширює можливість проведення многокомпонетного статистичного аналізу в матеріалознавстві. В роботі розглянуто процедуру застосування методу множинного кореляційно-регресійного аналізу для дослідження і моделювання багатофакторних зв'язків фізичних характеристик у кристалічних структурах. Розгляд здійснено на прикладі монокристалів нелегованого арсеніду галію. У виконаному статистичному аналізі був задіяний комплекс із семи фізичних характеристик, отриманих неруйнівними методами для кожної з 32 точок вздовж діаметра кристалічної пластини. Масив даних досліджувався методами множинного кореляційного аналізу. Була побудована розрахункова модель регресійного аналізу. На її основі з використанням програм Excel, STADIA і SPSS Statistics 17.0 проведено статистичну обробку даних і аналітичне вивчення взаємозв'язків всіх характеристик. Отримано і проаналізовано регресійні співвідношення при визначенні концентрації фонової домішки вуглецю, залишкових механічних напружень і концентрації фонової домішки кремнію. Була встановлена можливість коректного проведення множинного статистичного аналізу для моделювання властивостей кристала GaAs. Виявлено нові взаємозв'язки між параметрами кристала GaAs. Встановлено, що концентрація фонової домішки кремнію пов'язана з вакансійним складом кристала і значенням концентрації центів EL2. Також встановлено відсутність зв'язку концентрації кремнію з величиною залишкових механічних напружень. Ці факти і термічні умови формування точкових дефектів при вирощуванні монокристалів свідчать про відсутність перерозподілу фонових домішок в процесі охолодження кристала нелегованого GaAs. Використання методу множинного регресійного аналізу в матеріалознавстві дозволяє не тільки моделювати багатофакторні зв'язки в бінарних кристалах, а й здійснювати стохастичне моделювання факторних систем змінного складу Ключові слова: кореляційно-регресійний аналіз, множинна регресія, арсенід галію, кристалічна структура