Des structures MIS réalisées par dépǒt d'environ 1200 Å de Si3N4 sur GaAs de type n sont caractérisées à partir de mesures C–U à différentes fréquences, en particulier en limite HF et en quasistatique, et par des mesures capacitives en transitoire (méthode de Zerbst et DLTS). On observe des densités importantes (environ 1013 cm−2 eV−1) de pièges à l'interface, et deux niveaux‐pièges en volume. L'étude en fonction de la fréquence confirme le schéma équivalent classique pour les pièges d'interface avec une dispersion des constantes de temps vraisemblablement due à la répartition de ces niveaux en profondeur dans l'isolant. Une comparaison est effectuée entre les résultats des différentes techniques. Le profil de densité des pièges d'interface est déterminé dans la moitié inférieure de la bande interdite, les sections efficaces de capture sont de l'ordre de 10−12 cm2.

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