Thin wires of high-purity platinum are quenched from high temperatures by means of the helium-I1 technique. After quenching from about 1000 "C the electrical resistivity is found to recover between 380 and 520 "C with an activation energy of (1.33f0.05) eV. After quenching from near the melting point the recovery occures between 200 and 460 "C and can be decomposed into two second-order processes with activation energies of 1.0 and 1.34 eV, respectively. The self-diffusion data are re-analysed allowing for the contribution of both mono-and divacancies. This analysis is compared critically with the results of the present quenching experiments and with previous work. A consistent set of vacany parameters is proposed for Pt.Hochreines Platin in Form diinner Driihte wurde mit Hilfe der He-11-Methode von hohen Temperaturen abgeschreckt. In Proben, die von etwa 1000 "C abgeschreckt worden waren, erholte sich der elektrische Widerstand zwischen 380 und 520 "C mit einer Aktivierungsenergie von (1,33 f 0,05) eV. Nach Abschrecken von der Niihe des Schmelzpunktes erfolgte die Erholung zwischen 200 und 460 "C und konnte in zwei Prozesse zweiter Ordnung mit Aktivierungsenergien von 1,0 bzw. 1,34 eV zerlegt werden. Die Selbstdiffusionsdatn werden erneut ausgewertet unter Berlicksichtigung gleichzeitiger Beitriige von Einfachund Doppelleerstellen. Die Ergebnisse werden kritisch mit denjenigen der vorliegenden Abschreckmessungen und mit friiheren Arbeiten verglichen. Ein in sich konsistenter Satz von Leerstellen-(bzw. Doppelleerstel1en)-Eigenschaften wird vorgeschlagen.

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