Bu makaleye şu şekilde atıfta bulunabilirsiniz(To cite to this article): Tüzün Özmen Ö., Sedani S. H., Karaman M., Gökşen K. ve Turan R., "farklı üretim parametrelerinin katı faz kristalizasyon (SPC) tekniği kullanılarak üretilen polikristal silisyum ince filmlerin kalitesi üzerine etkileri", Politeknik Dergisi, 22 (2): 469-475, (2019).Erişim linki (To link to this article): http://dergipark.gov.tr/politeknik/archive ÖZYüksek elektronik kaliteleri ve optimize edilmiş eklem yapıları nedeniyle SiNx kaplı cam alttaş üzerindeki polikristal silisyum (poly-Si) ince filmler, hacimsel silisyum bazlı güneş hücrelerine karşı umut vaat edici alternatif yaklaşımlardır. Bu çalışmada, poly-Si filmler katı faz kristalizasyonu (SPC) tekniği ile üretilmişlerdir. Filmler, klasik tüp fırında 600 o C'de 8-26 saat aralığında kristalleştirilmişlerdir. SiNx kaplı cam alttaş üzerindeki poly-Si ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri araştırılmıştır. Poly-Si ince filmlerin yönelimi ve kristalit büyüklüğü X-ışını kırınımı (XRD) kullanılarak incelenirken filmlerin kristallenme derecesi mikro Raman spektroskopisi ile çalışılmıştır. Kristalizasyon süresinin filmin kalitesi üzerine önemli etkileri olduğu bulunmuştur. Deneyler sonucunda, tavlama süresi 8 saatten 26 saate arttırıldığında kristallenme derecesinin %10'dan %95'e arttığını göstermiştir. 600 o C'de kristallenen SPC poly-Si filmlerin tercihli yönelimi tüm tavlama zamanları için <111>'dir. Diğer yandan, artan tavlama süresi kristalit boyutunu 29,6nm'den 36,3nm'e büyütmüştür. Bu analizlere ek olarak, bu çalışmada, e-demeti sistemi ile büyütülen a-Si'un üretim esnasında kullanılan potanın SPC poly-Si filmin kristal kalitesi üzerine etkileri de araştırılmıştır. Sonuçlar göstermiştir ki e-demeti sisteminde kullanılan potanın malzemesinin grafit yerine molibden (Mo) olması gerektiği ve SPC tekniğini ile oluşturulan poly-Si filmlerin kalitesi üzerine önemli etkisi olduğu görülmüştür.Anahtar Kelimeler: İnce film, polikristal silisyum, katı faz kristalizasyon, üretim parametreleri. ABSTRACTPolycrystalline silicon (poly-Si) thin films on SiNx-coated glass substrates are the promising alternative approach to bulk silicon based solar cells thanks to those of the high electronic qualities and optimized junction structures. In this work, the poly-Si films have been fabricated by Solid Phase Crystallization (SPC) technique. The films were crystallized in a classical tube furnace at 600 o C for 8-26 hours. The structural and optical properties of poly-Si thin films on SiNx-coated glass substrates were investigated. The degree of crystallinity of films were studied by micro-Raman Spectroscopy while the orientation and the crystallite size of poly-Si thin films were studied using X-Ray Diffraction (XRD). It is found that crystallization duration has a great effect on the quality of the film. The results of experiments show that the degree of crystallinity increases from 10% to 95% by increasing the annealing duration from 8 hours to 26 hours. The preferential orientation of SPC poly-Si films cr...