No abstract

No abstract

При различных внешних и внутрикристаллических условиях (при разных температурах, напряженностях электрического поля, исходных значениях темнового удельного сопротивления образца, содержании, а также химической природе введенной редкоземельной примеси) исследовано влияние гальванически приложенного электрического поля на собственную фотопроводимость в монокристаллах селенида галлия (p-GaSe). Установлено, что фотопроводимость в образцах нелегированных монокристаллов p-GaSe с исходным (имеющим место при Т = 77 К) темновым удельным сопротивлением ρ т0 ≤ 4•10 4 Ом•см и легированных редкоземельными элементами (диспрозием и эрбием) с процентным содержанием N РЗЭ ≥ 10 -2 ат. % не зависит от напряженности электрического поля. А в образцах нелегированных монокристаллов с ρ т0 > 10 5 Ом•см и легированных с N РЗЭ < 10 -2 ат. % при Т ≤ 250 К и слабых освещенностях фотопроводимость зависит от напряженности электрического поля. Обнаруженное влияние электрического поля на фотопроводимость в исследуемых образцах монокристаллов p-GaSe объяснено электрическим спрямлением флуктуации электронного потенциала свободных энергетических зон, обусловленной наличием в них случайных макроскопических дефектов.

No abstract

No abstract