The results of studies on the structure and physical properties of grown TIInS, (Se,, Te,) single crystals are presented. Based on an X-ray investigation the parameters of the tetragonal cells of these crystals have been determined. The electric conductivity and the Hall effect for the TlInS,(Se,, Te,) crystals have been measured over a wide temperature range. It has been revealed that in the purest crystals of the above compounds the mobility obeys the usual T -3 / 2 law. Some data on the photoelectric and optical properties of these materials are also reported. These crystals are shown to be photoconductors in the infrared and visible regions of the spectrum. The photoconductivity maxima for the TlInS,, TlInSe,. and TlInTe, crystals correspond to the wavelengths of 0.525, 0.87, and 1.36 pn, respectively. I n photoconductivity the respective values for the forbidden gap width are 2.3, 1.07, and 0.68 eV. From the experimental data obtained the main characteristic parameters of the crystals have been calculated.Es werden Ergebnisse von Untersuchungen der St,ruktur und der physikalischen Eigenschaften von gezuchteten TlInS,(Se,, Te,)-Einkristallen mitgeteilt. Auf Grund von Kontgenstrahluntersuchungen wurden die Parameter der tetragonalen Zellen dieser Kristalle bestimmt. Die elektrische Leitfahigkeit iind der Hall-Effekt x-urden fur TlInS, (Se,, Te,)-Kristalle in einem weiten Temperaturbereich gemessen. Es wurde gefunden, daO in den reinsten Kristallen der obengenannten Verbindungen die Beweglichkeit das ubliche T -3 i2-Gesetz befolgt. Einige Werte der photoelektrischen und optischen Eigenschaften dieser Materialien werden ebenfalls mitgeteilt. Es zeigt sich, daB diese Kristalle im sichtbaren und infraroten Spektralbereich Photoleiter sind. Die Photoleitfahigkeitsmaxima fur TlInS,, TlInSe, und TIInTe, liegen bei 0,525, 0,87 und 1,36 pm. I n der Photoleit'ung sind die entsprechenden werte fur die Breite der verbotenen Zone 2,3, 1,07 bzw. 0,68 eV. Aus den experimentellen Werten wurden die hauptsachlichen charakteristischen Parameter der Kristalle berechnet.